در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

هدف اصلی از انجام این پژوهش تولید گیت دی الکتریک جایگزین برای اکسید سیلیکون در قطعات ترانزیستورهای اثر میدانی است. یک رویکرد جدید استفاده از مواد هیبریدی آلی- غیرآلی به عنوان گیت دی الکتریک است. در این بین، این واقعیت که مواد از اتم های گسسته ساخته شده اند ممکن است توانایی ما را در ادامه ی کوچک تر کردن ابعاد به محدوده نانومتر محدود سازد چرا که در ابعاد اتمی اثرات کوانتومی خود را آشکار می سازن...

ای بهبود عملکرد محصولات پلیمری بطور گسترده از تقویت¬کننده¬ها با ساختار¬های مختلف استفاده شده است. اخیراً توجه محققین و صنعتگران معطوف به بکارگیری الیاف میکرونی و همچنین نانوذرات معدنی شده است. برای تقویت پلیمرها می¬توان بطور همزمان از الیاف میکرونی به¬همراه ذرات نانویی استفاده کرد. مشخصه ی اصلی این نانوکامپوزیت¬های هیبریدی، اثر هم¬افزایی تقویت کننده¬ها است که "hybrid effect" نامیده می شود. سختی¬...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

در ابتدا نمک poss سنتز شد سپس با استفاده از نمک تهیه شده نانوکامپوزیت هیبریدی تهیه شد

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در این تحقیق، نانوکامپوزیت¬های پلیمری حساس به گرما با درصدهای وزنی مختلف از نانوذرات هیبریدی جدید آهن-فتالوسیانین الیگومر/ fe3o4، تهیه شدند. ابتدا ترکیب 4-نیتروفتالونیتریل و بیس-فنول آ در حضور پتاسیم کربنات و dmf واکنش داده و مشتقات بیس فتالونیتریل بدست آمد و ساختار آن از طریق طیف سنجی مادون قرمز (ft?ir) مورد شناسایی قرار گرفت. در مرحله¬ی بعد نانوذرات هیبریدی جدید آهن-فتالوسیانین الیگومر/fe3o4 ...

در این پژوهش تاثیر فرآیند اتصال نفوذی و نحوه لایه‌نشانی نانوذرات تقویت‌کننده بر ریزساختار و خواص مکانیکی نانوکامپوزیت لایه‏ای هیبریدی آلومینیم/نانوزیرکونیا و نانوآلومینا بررسی گردید. در ابتدا سوسپانسیونی پایدار از نانوذرات با مقادیر مختلف وزنی روی ورقه‌های آلومینیمی لایه‌نشانی و پراکنده گردید. سپس ورقه‌های لایه‌نشانی شده در محدوده دمایی  °C645-  635 حرارت داده شدند و در نهایت تحت پرس گرم قرار گ...

در این تحقیق عملکرد و خواص ضد گرفتگی و شار غشاهای نانوکامپوزیت پلی وینیلیدن فلوراید (PVDF) با غلظت‎های 15 و 18% وزنی که با نانو لوله‎های کربنی عامل‎دار شده با گروه‎های اسیدی، بازی و آمین مخلوط شده و با روش وارونگی فازی و حلال نرمال متیل پیرولیدون (NMP) در آزمایشگاه ساخته شده، مورد بررسی قرار گرفت. همچنین تست‎های شار،گرفتگی، زاویه تماس، تخلخل و نرخ پس‎دهی پروتئین انجام شده است. با استفاده از نتا...