در سالهای اخیر با پیشرفت در کوچک سازی قطعات نیمرسانای تونلی، جنبه زمانی فرایند تونل زنی مورد توجه زیادی قرار گرفته است. علاوه بر اهمیت ذاتی کوانتوم مکانیکی مسئله، زمان تونل زنی از نظر فهم دینامیک تونل زنی در قطعات با سرعت بالا نیز از اهمیت بسزایی برخوردار است، زیرا زمان تونل زنی پارامتر کلیدی در تعیین راندمان قطعات الکترونیکی می باشد. با توسعه شاخه جدید اسپینترونیک، زمان تونل زنی حاملان بار با ...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...

در این مقاله مشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل­زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی محاسبه و با نتایج حاصل وقتی تابش الکترومغناطیسی وجود ندارد مقایسه شده است. برای محاسبه مشخصه جریان- ولتاژ نیاز به محاسبه ضریب عبور الکترون­ها از ساختارهای سد و چاه در این قطعه می­باشد که برای محاسبه ضریب عبور الکترون­ها در حضور تابش الکترومغناطیسی روش تفاضل متناهی حوزه زمانی ( fdtd ) و در حالتی که تابش الکترومغن...

در این پایان نامه پیوندگاه جوزفسون توسط پدیده میکروسکوپی تونل زنی و تاثیر اعمال ولتاژ به دو سر آن و حضور در میدانهای مغناطیسی مورد بررسی و معرفی قرار می گیرد. در اینجا هدف، دست یافتن به جوابهای معادله سینوسی گوردون است که رفتار پیوندگاه جوزفسون را توصیف می کند. اثر جوزفسون پدیده ای شامل شارش جریان در عرض دو ابررسانای مجزا که بطور ضعیف توسط یک لایه نازک بهم متصل شده اند، می باشد. پیوندگاه جوز...

باپیشرفتهایاخیردرتکنولوژینانو،توجهزیادیبهترابردکوانتومیازساختارهایفلزعادیونیمرسانایمتصلبهابررساناشدهاست. اینتوجهبهدلیلکاربردهایممکنچنینساختارهایی درقطعاتالکترونیکیمیباشد. قطعاتالکترونیکیمعمولیبراساسشارشبارالکترون-هاطراحیمیشوند،درحالیکهقطعاتاسپینترونیکیبراساسجهتوتعداداسپین هایعبوریطراحیمی شوند. درقطعاتاسپینترونیکیمثلپیوندهایتونلیمغناطیسی،جریانقطبیدهاسپینیزمانیرخمی-دهدکهعدمتوازنیبینحاملهایاسپین...

طیف پراکندگی غیر الاستیک نوترون در برخی از سیستم های دورانی مثل گروه های مولکولی ch3 دارای ویژگی های خاصی است. این طیف ها دارای یک قله مرکزی انرژی و دو قله جانبی هستند که با دما تغییر می کنند، به گونه ای که این قله ها با افزایش دما پهن تر شده و به سمت فرکانس های کم جابجا می شوند. برای توصیف نظری این پدیده یک مدل ریاضی ارائه می شود که نحوه رفتارطیف را با تغییر دما پیش بینی نماید. مدل های ارائه...

نانو نوار گرافن، یک نانو صفحه کربنی به ضخامت یک اتم کربن، که برای اولین بار در سال 2004 جداسازی شد، در سال های اخیر موقعیت های تازه ای را در زمینه پژوهشها و کاربردهای عملی مرتبط با فناوری نانو فراهم نموده است. از اینرو هدف اصلی در این پایان نامه مطالعه انتقال الکترون از نانو نوارهای گرافن می باشد. در فصل اول، بعد از معرفی ساختارهای کربنی، به طور جامع به بحث در مورد ساختار الکترونیکی گرافن می ...

برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل ...

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...

در این کار، نانوکامپوزیتهای جدیدی از پلیمریزاسیون درجای 2-متیل آنیلین بر بستر سیلیکا یا نانو سیلیکا-ساپورت پرکلریک اسید به عنوان اسید جامد دوپه کننده در حضور آمونیوم پرسولفات تحت شرایط حلال آزاد (حالت جامد) ساخته شدند. عوامل موثر بر ساختار پلیمر، شامل نسبت اسید به منومر و نسبت اکسیدان به منومر و نوع سیلیکای به کار رفته (شامل معمولی، نانو سیلیکای خریداری شده و نانو سیلیکای سنز شده) مورد بررسی قر...