در این پایان نامه به اثر استاتیک کازیمیر بین صفحه های رسانا ناشی از حضور مواد مغناطودی الکتریک با شرایط مرزی مختلف پرداخته ایم. دو صفحه ی موازی را که به فاصله h از یکدیگر قرار دارند و یک یا چند محیط را در بر گرفته اند در نظر می گیریم، در مسأله ی اول هدف محاسبه ی نیروی عمودی برای دو محیط تک لایه و چند لایه بین صفحه های صاف است و در مسأله ی دوم به محاسبه ی نیروی عرضی بین صفحه های ناهمواری می پردا...

در این مقاله اثر تغییرات همزمان طول¬های دو میدان الکترومغناطیس با لحاظ نواحی نفوذ جانبی بر توزیع دما و سرعت جریان در یک ریزپمپ ام اچ دی به¬طور عددی شبیه¬سازی شده است. هندسه جریان یک مجرای دو بعدی بین دو صفجه موازی است و جریان مورد نظر تراکم ناپذیر، پایدار و آرام فرض شده است. بعلاوه دو خاصیت ترموفیزیکی سیال یعنی لزجت دینامیکی و هدایت الکتریکی تابع دما در نظر گرفته شده است. معادلات حاکم بر دو مید...

در مقاله حاضر، رفتار یک حباب در سیال لزج دی¬الکتریک تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی با استفاده از روش level set به صورت دوبعدی مدل¬سازی شده ¬است. جریان دوفازی حبابی آرام و همگن فرض شده و تغییرشکل حباب بر اثر نیروی غوطه¬وری و نیز نیروی مغناطیسی ناشی از میدان مغناطیسی خارجی اعمال شده، مورد بررسی قرار گرفته¬است. برای حل مساله یک کد کامپیوتری نوشته شده که شامل بخش¬های حل میدان جریان،...

چکیده در کار حاضر جریان گازی با نادسن خروجی 0.2 تحت تاثیر میدان مغناطیسی در یک میکروکانال که با گرادیان فشار تحریک شده مورد مطالعه قرار می گیرد. اثر تغییرات پارامترهای میدان مغناطیسی شامل قدرت و طول با اعمال سرعت لغزشی در دیواره های میکروکانال به صورت عددی شبیه سازی شده است. مدل هندسی جریان، یک مجرای مسطح دو بعدی با عرض ثابت در طول میکروکانال بوده و جریان مورد نظر پایدار و آرام فرض شده است. معا...

در مقاله حاضر‏ ، فرآیند کشش ورق های فلزی در قالب گوه ای شکل، با ارائه میدان سرعت جدید، به روش کرانه بالایی تحلیل و به روش اجزا محدود (نرم افزار آباکوس) شبیه سازی شده است. از جمله موارد مهم در تحلیل کرانه بالایی فرآیندهای شکل دهی، انتخاب مرزهای مناسب ناحیه تغییر شکل و نیز ارائه میدان سرعت مُجازی است که علاوه بر برآورد نمودن شرط تراکم ناپذیری ماده و شرایط مرزی، مطابق با رفتار جریان فلز در ناحیه تغ...

زمینه و هدف: فاکتور رشد شبه انسولینی به طور طبیعی در سیستم عصبی مرکزی (cns) موجود است و نقش مهمی در تکثیر و تمایز سلولی در طی رشد و بلوغ مغز دارد. این فاکتورها به همراه پروتئین های پیوند به آن ها و گیرنده هایشان در نواحی آسیب دیده ی مغز بیان می شوند که نقش سیستم igf ها را در آسیب مغزی نشان می دهد. شبیه سازی مولکولی یک روش محاسباتی مستقیم برای مطالعه ی تغییرات ساختمانی طیف وسیعی از مسایل فیزیکی ...

در مقاله حاضر، پارامترهای هندسی و فیزیکی موثر بر ارتعاشات آزاد و نیروی ضربه یک ورق ساندویچی سه لایه با الاستومر مگنتورئولوژیکال در لایه میانی تحت ضربه عرضی با سرعت پایین بررسی شده است. فرکانس طبیعی اول و ضریب استهلاک مودال متناظر برای چهار مود اول ارتعاشی برای ضخامت هسته، شدت میدان مغناطیسی و ضرایب منظری متفاوت بدست آمده است. سیال هوشمند مگنتورئولوژیکال (mr) در شدت میدان مغناطیسی مختلف، خواص مت...

در مقاله حاضر، سقوط قطره سیال فرو در سیال غیر مغناطیسی تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی به صورت عددی مطالعه می شود. برای این منظور، از روش ترکیبی شبکه بولتزمن مدل شان- چن و روش حجم محدود استفاده شده است. معادله شبکه بولتزمن با استفاده از اضافه کردن ترم نیروی مغناطیسی جهت به روزرسانی میدان جریان حل می شود، در حالیکه معادله القاء مغناطیسی به روش حجم محدود برای محاسبه میدان مغناطیسی ...

"بر عنصر حامل جریان در میدان مغناطیسی نیرو وارد می شود." اصل فوق حاصل تجربیات آمپروبیو - ساوار می باشد که پایه و اساس ساخت بسیاری از سیستم های مغناطیسی از قبیل انواع ماشین های دوار شتاب دهنده ها، موتورهای لوله ای، قلب مصنوعی و دیگر سیستم های مشابه گردید از طرفی وجود نیروهای فوق گاهی باعث تخریب عناصر الکتریکی گردیده است با این توضیحات مطالعه نیروهای فوق هدف این پروژه می باشد. جهت مطالعه نیروها ا...