در این رساله، ابتدا مهمترین چالش¬های طراحی مدولاتورهای سیگما- دلتای زمان گسسته در کاربردهای باند وسیع مورد مطالعه قرار گرفته و برخی از راهکارهای اخیر ارائه شده در این خصوص بطور اجمالی بررسی شده¬اند. با توجه به اینکه تقویت¬کننده¬های عملیاتی با توان مصرفی بالا، به عنوان یکی از مهمترین عوامل محدود کننده عملکرد این مدولاتورها در کاربردهای باند وسیع می¬باشند، هدف اصلی این رساله ارائه¬ی راهکاری جدید ...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

این روزها تکنولوژی قطعات الکترونیک قدرت در حال تحول شگرف می باشد و حاصل آن igbt و mosfet های قدرت می باشد که در حال حاضر بهترین قطعات سوئیچ در اینورترها هستند. اینورتر های جدید و قویتر سه سطحی که در آنها از igbt و یا mosfet های قدرت استفاده شده است، به منظور جایگزینی با اینورتر های مرسوم طراحی و ساخته می شوند. در این تحقیق طراحی و توسعه یک اینورتر سه سطحی با استفاده از روش کنترل فرکانسی ” مدولا...

با رشد سریع تکنولوژی، ساخت مدارهای الکتریکی به سمت نانو پیش می رود که با کاهش ابعاد قطعات، می توان از قطعات بیشتری در مدارات بهره برد. یکی از محتمل ترین جایگزینهای ترانزیستورهای سیلیکونی، به خاطر خصوصیات الکترونی عالی و ظرفیت بالای حمل جریان، ترانزیستورهای نانو لوله کربنی است. با نانو متری شدن ابعاد قطعات با توجه به محدودیتها و بروز اثرات مکانیک کوانتم محاسبه معادلات پیچیده و زمانبر می شود و ای...

چکیده ندارد.

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.