اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

در این مقاله موجبرهای پلاسمونیکی با هدف کنترل آهنگ نشر خودبه‌خودی نقاط کوآنتومی کلوئیدی طراحی شده‌اند. برای این کار، با در نظر گرفتن موجبرهایی از جنس نقره و آلومینیوم، وابستگی آهنگ نشر پلاسمونیکی نقطه کوآنتومی به ابعاد موجبر، جنس موجبر و مکان نقطه کوآنتومی بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهد که نقطه کوآنتومی در فاصله 5 نانومتری از لبۀ موجبری از جنس نقره و با ضخامت (h)20 نانومتر و عرض گاف(w) 30 نان...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

در این تحقیق، قابلیت روش جدید ساخت موجبرهای تپه ای در لیتیوم نایوبایت مبتنی بر سونش فیزیکی با گاز آرگون و نفوذ تیتانیوم بررسی می شود. برای این منظور سهم مد انتشاری در قسمت برآمده موجبر تپه ای، اندازه­گیری و شبیه­سازی شده است. همینطور  اثرات نقص های دیواره های موجبر تپه ای که یکی از چالشهای این نوع موجبرها است، در مقدار تلفات نور منتشر شده در موجبر، شبیه سازی شده است. ارتفاع قسمت برآمده موجبر سا...

در این مقاله یک جفتگر فلزی کم اتلاف و پر بازده به منظور هدایت موج از یک موجبر سیلیکونی به یک موجبر پلاسمونیک معرفی و مشخصه یابی شده است. عملکرد جفتگر در ابعاد مختلف بررسی و بهینه سازی شده است. محاسبات نشان می دهد که در جفتگر پیشنهادی، محدودسازی نور از موجبر سیلیکونی  .   به موجبر پلاسمونیک تا ابعاد2   nm 200×200 با بازده 70 % ( db 8/ 0 )در طول موج µm 55/1 رخ می­دهد .

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

در این مقاله، یک حسگر مبتنی بر نانو تشدیدگر کریستال فوتونی با استفاده از صفحه کریستال فوتونی دو بعدی طراحی و برای کاربرد حسگر زیستی، مدل-سازی شده است. این حسگر شامل دو موجبر و یک نانو تشدیدگر است. به منظور افزایش محدودیت نوری و تزویج نوری بهتر بین موجبرها و تشدیدگر، دو موجبر با انتهایی بسته به عنوان موجبر ورودی و خروجی قرار داده شده است. همچنین اندازه سه حفره‌ی در ساختار تغییر داده شده است. با ...

در این پایان نامه ابتدا اثرات و کاربردهای ساختارهای موجبر مجتمع زیرلایه ای (siw) در المان های مایکروویوی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفته است. روش های تحلیل تمام موج این ساختارها از لحاظ به دست آوردن فرکانس قطع و ماتریس پراکندگی بررسی گردیده و روش هایی برای تحلیل تمام موج این ساختارها پیشنهاد گردیده است. در ادامه با توجه به ویژگی های این گونه از ساختار، آنتن پهن باند، آنتن با قابلیت پیکربندی مجدد...

یک موجبر بلور فوتونی در این مقاله ارائه شده است. این ساختار آرایه دو بعدی از میله‌های سیلیکونی است که در آرایش مثلثی چیده شده‌ است. میله‌ها در زمینه هوا و در صفحه x-z قرار گرفته است. ساختار موجبر با حذف میله‌های سیلیکون ایجاد شده است. آرایش شکاف باند در این اسپلیتر با روش FDTD بررسی شد. این موجبر می‌تواند نقش اسپلیتر را ایفا کند. با استفاده از این آرایه اسپلیتر دو پورتی و سه پورتی ایجاد شده است...

چکیده ندارد.