در این مقاله یک جفتگر فلزی کم اتلاف و پر بازده به منظور هدایت موج از یک موجبر سیلیکونی به یک موجبر پلاسمونیک معرفی و مشخصه یابی شده است. عملکرد جفتگر در ابعاد مختلف بررسی و بهینه سازی شده است. محاسبات نشان می دهد که در جفتگر پیشنهادی، محدودسازی نور از موجبر سیلیکونی  .   به موجبر پلاسمونیک تا ابعاد2   nm 200×200 با بازده 70 % ( db 8/ 0 )در طول موج µm 55/1 رخ می­دهد .

این پایان نامه به بررسی مجتمع سازی آنتن های مسطح، مانند آنتن های شکافی با محفظه ی تشدید در پشت و ساختار موجبر مسطح، به طور خاص موجبرهای زیرلایه مجتمع (siw) به منظور افزایش پهنای باند و قابلیت مجتمع سازی می پردازد. تکنولوژی siw یک تکنولوژی کم هزینه با تلفات کم است زیرا تقریبا تمام موج هدایت شده را در داخل ساختار نگه می دارد. بنابر این این تکنولوژی نامزدی بسیار مناسب جهت طراحی خطوط تغذیه برای بسی...

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

در این مقاله، یک حسگر مبتنی بر نانو تشدیدگر کریستال فوتونی با استفاده از صفحه کریستال فوتونی دو بعدی طراحی و برای کاربرد حسگر زیستی، مدل-سازی شده است. این حسگر شامل دو موجبر و یک نانو تشدیدگر است. به منظور افزایش محدودیت نوری و تزویج نوری بهتر بین موجبرها و تشدیدگر، دو موجبر با انتهایی بسته به عنوان موجبر ورودی و خروجی قرار داده شده است. همچنین اندازه سه حفره‌ی در ساختار تغییر داده شده است. با ...

آرایه شکافی خطی تغذیه شده با موجبر شیار دار، برای بدست آوردن الگوی تشعشعی جمع و تفاضل در باند x شبیه سازی شد. آرایه شبیه سازی شده پهنای باند امپدانس %13/3 در فرکانس مرکزی 9.75 ghz بدست داد. آرایه از دو زیر آرایه تشکیل شده ، که هر زیر آرایه توسط یک کابل کواکسیال استاندارد تغذیه شده بود. الگوی تشعشعی های صفحه h و e در هر دو حالت جمع و تفاضل رسم شدند. بهره الگوی تشعشعی جمع در بازه 9/5 تا 10/4 گیگا...

یک موجبر بلور فوتونی در این مقاله ارائه شده است. این ساختار آرایه دو بعدی از میله‌های سیلیکونی است که در آرایش مثلثی چیده شده‌ است. میله‌ها در زمینه هوا و در صفحه x-z قرار گرفته است. ساختار موجبر با حذف میله‌های سیلیکون ایجاد شده است. آرایش شکاف باند در این اسپلیتر با روش FDTD بررسی شد. این موجبر می‌تواند نقش اسپلیتر را ایفا کند. با استفاده از این آرایه اسپلیتر دو پورتی و سه پورتی ایجاد شده است...

خطای ساخت در کوپلر کواکسیال به موجبر WG1800، باعث تغییر پارامترهای الکترومغناطیسی آن مانند فرکانس کار می‌شود. برای بررسی اثر این تغییرات، معمولاً از روش مونت‌کارلو استفاده می‌شود که بسیار زمان‌بر است. در این مقاله با استفاده از روش چند جمله‌ای آشوب تعمیم یافته، ابتدا اثر تغییرات ابعاد کاواک مستطیلی WR187 در فرکانس تشدیدی توضیح داده می‌شود. برای ارزیابی دقت این روش، نتایج حاصل، با نتایج روش تئوری...

در این مقاله، انتشار امواج الکترومغناطیسی در یک نانو ساختار موجبر غیر خطی با شعاع نانو بررسی شده است. این موجبر، همسانگرد و غیرمغناطیسی است که در آن غیرخطیت کر در لایه ی درونی در نظر گرفته شده است. معادلات موج در لایه ی درونی به صورت عددی و تقریبی حل شده و الگوی میدان و نیز شار توان رسم گردیده اند. پاسخ تقریبی در ناحیه ی غیرخطی توسط تابع گرین و با استفاده از فرمول دوم گرین مشخص شده است. دیده می...

چکیده حلقه ی r نیم ساده ی محض چپ نامیده می شود، هرگاه هر -rمدول چپ حاصل جمع مستقیمی از مدول های متناهی تولید باشد. در این پایان نامه، مدول های پیش-تزریقی روی حلقه های نیم ساده ی محض چپ مطالعه شده اند. روی این حلقه ها دوگان موضعی، رابطه ای یک به یک و پوشا بین -rمدول های چپ پیش-تزریقی و -rمدول های راست پیش-تصویری ایجاد می کند. هر -rمدول چپ پیش-تزریقی پایه ی یک ریخت تقریباً شکافی چپ است. هر حاصل ...

در این مقاله، جداکننده توان بلور فوتونیک با اتصال y شکل به منظور استفاده در ابزارهای مخابراتی طراحی، بهینه سازی و شبیه سازی شده است. به منظور افزایش میزان عبور موجبر از حفره ای با ضریب شکست متفاوت در محل اتصال استفاده شده است. با استفاده از روش های fdtd تعمیم یافته و mmp عبور پرتو از جداکننده توان شبیه سازی شده است. با توجه به هندسه موجبر بلور فوتونیک، قطبش الکتریکی عرضی در نظر گرفته شده است. ا...