با نیاز روز افزون علم و تکنولوژی به افزایش سرعت پردازش و توان محاسباتی، انتقال اطلاعات در پهنای باند بالا و توسعه و کاربرد روزافزون نانوتکنولوژی در حوزه های مختلف، توجه بسیاری از محققان در سراسر دنیا به زیر شاخه-ای از فوتونیک به نام پلاسمونیک جلب شده است. به دلیل قابلیت تمرکز بالای نور در مرز فلز و دی الکتریک، حد تفرق نور شکسته شده و امکان هدایت اطلاعات، توسط نور، در ابعاد نانومتری فراهم می شود...

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

در این پایان نامه، خواص نوری پلاسمون های سطحی و نیز موجبرهای پلاسمونی مورد بررسی قرار گرفته است. تزویج نور از یک موجبر دی الکتریک معمولی به داخل موجبر پلاسمونی به طور کامل ارائه و اثر پارامترهای مختلف بر روی میزان تزویج بیان شده است. در یک ساختار کوپلاژ ساده به راندمان 67% و در ساختار بهینه شده به میزان 90% در ضریب عبور نور دست یافتیم. در مرحله بعدی، پس از انتخاب ابعاد و ساختار مناسب موجبری (mi...

در این مقاله، انتشار پالس میکروموجی با نمایه گاوسی درون یک موجبر پلاسمایی مستطیلی درحضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی بررسی شده است. برای این منظور، با استفاده از معادلات ماکسول و معادلات هیدرودینامیکی سیال، معادله‌ دیفرانسیلی برای پتانسیل دنباله پالس در موجبر محاسبه شده است. در ادامه با حل این معادله دیفرانسیل با استفاده از روش محاسباتی رانگ-کوتا مرتبه 4، توزیع میدان الکتریکی دنباله پالس (E...

با استفاده از موجبرهای گاف پلاسمونی یک کوپلر پلاسمونی طراحی شده است. با توجه به اینکه کوپلر پیشنهادی در راستای انتشار یکنواخت است برای صرفه جویی در زمان و حافظه از روش موسوم به روش fdtd فشرده استفاده می شود. تأثیر برخی از پارامترهای هندسی ساختار مانند فاصله ی موجبرها از هم، ضخامت فلز و عرض شکاف هر موجبر را بر دو پارامتر مهم مربوط به این کوپلرها یعنی طول کوپلینگ و بیشینه ی توان انتقال یافته بررس...

در این مقاله از موجبر تیغه‌ای که دارای تیغه با انحراف بیضی شکل است جهت تغذیه آنتن شکافی طولی قرار گرفته بر روی خط مرکزی موجبر تیغه‌دار استفاده می‌شود. روش پیشنهادی با جایگزین نمودن قسمتی از تیغه مستقیم موجبر تیغه‌دار با تیغه با انحراف بیضی شکل محقق می‌شود. تیغه با انحراف بیضی شکل دقیقا در زیر شکاف قرار گرفته است و در این حالت شکاف هیچگونه انحرافی نسبت به خط مرکزی موجبر ندارد. نتایج شبیه‌سازی بی...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

خلیج گرگان در جنوب شرقی دریای خزر واقع شده است و آب دریای خزر وارد خلیج می شود. خلیج گرگان دارای مساحتی حدود 450 کیلومتر مربع می باشد که تنها مرز باز این خلیج، مرز آشوراده در قسمت شمال شرقی خلیج است که خلیج را به دریای خزر متصل میکند. اختلاف تراز آب در خلیج گرگان ناچیز است و جزر و مدی نمی باشد. در این مطالعه، خلیج گرگان از لحاظ کمی و کیفی مدلسازی شده و رفتار آن تحت سناریوهای کیفی مختلف ارزیابی ...

منظور از گاز گرانشی دو بعدی گازی است با نیروی موثر بین مولکولی بلند برد از نوع گرانشی که در دو بعد در نظر گرفته شده است. این نیرو با حل معادله پواسون دو بعدی و سپس مشتق گیری از پتانسیل حاصله فرموله می گردد. سیستم مورد مطالعه در دمای متغیری که رو به کاهش است در نظر گرفته شده است. در نهایت با مشاهده خطی بودن رفتار دمای بحرانی نسبت به تعداد ذرات بر نتیجه تئوریک خویش تاکید کرده ایم.

رسانش در دمای پایین برای سیستم های دو بعدی مانندترانزیستوراثرمیدان فلز-اکسید-نیمه رسانا مدتی است که مورد توجه قرار گرفته است. آزمایش ها نشان می دهند که یک نیمه رسانا آلاییده در چگالی الکترونی ناخالصی پایین از خود رفتار عایق ودر چگالی الکترونی بالا خاصیت فلزی نشان می دهد. در یک سیستم دو بعدی نظیر ساختار چند لایه ای الکترون ها با ناخالصی های باردار وخنثی برهم کنش ن سهیم می باشند. دراینجا اثر آنه...