نتایج جستجو برای: مقاومت الکتریکی و ضریب عبور اپتیکی
تعداد نتایج: 761970 فیلتر نتایج به سال:
در این پژوهش، نمونههای 3camno به دو روش واکنش حالت جامد و سل-ژل (ژل سوزی) با دمای برشتن c°800 تهیه شدند. ساختار و میانگین اندازهی ذرات پودرهای به دست آمده به ترتیب با پراش پرتو x (xrd) و میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی (tem) بررسی شدند. نتایج نشان میدهند که میانگین اندازهی ذرات به دست آمده از روش سل-ژل در حدود nm85 است. گاف اپتیکی نمونهها از نمودار بیناب جذبی اندازهگیری و برای نمونههای تهی...
لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...
گروهی از مواد به نام اکسیدهای رسانای شفاف وجود دارند که همزمان دارای خواص شفافیت بالای اپتیکی )بیشتر از 80%) در ناحیه ی مرئی و رسانایی بالا هستند. دست یابی به این خواص در یک ماده با استوکیومتری ذاتی امکان پذیر نیست چون فوتونها توسط حاملهای بارِ زیاد به میزان قابل توجهی جذب میشوند و این خود امکان بالا بودن شفافیت در مواد رسانا را پایین می آورد. تنها راه به دست آوردن یک رسانا با شفافیت خوب، ایجاد...
در بسیاری از ابزارهای اپتیکی، تابش قطبیدهی خطی مورد نیاز است. به این منظور، قطبندهها به طور گسترده در ابزارهای اپتیکی، لیزرها و قطعات الکترواپتیکی بهکار میروند. در سامانههای لیزری به قطبندههایی نیاز داریم که در برابر تابش لیزرهای توان بالا مقاومت کنند و آسیب نبینند. مطالعات نشان میدهد که در میان انواع قطبندهها، قطبندههای لایهنازک بهترین گزینه برای کاربرد در سامانههای لیزری است. قط...
پاسخهای اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دیلکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوهای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع میباشند. آینههای براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO2 و Ta2O5 میباشد. با معرفی ماده Ce:YIG به عنوان لایه نقص مغناطیسی، افزایش عبور و زاویه ...
دراین مقاله مشخصه های تشدید تونل زنی (ضریب عبور، چگالی جریان و مقاومت دیفرانسیل منفی) از چاه های کوانتومی دوگانۀ مثلثی alx ga1-x as / ga as بررسی شده است. برای حل معادلۀ مستقل از زمان شرودینگر در ساختارهای چاه مثلثی از تابع ایری1 استفاده شده است. به طور اساسی، عبارت های دقیق ضرایب بازتاب وعبور قبل و بعد از اعمال میدان الکتریکی خارجی برای دو چاه کوانتومی مثلثی متقارن براساس تقریب جرم مؤثر به عنو...
تحلیل میزان و چگونگی آسیبپذیری بافتهای شهری به برنامهریزان و مدیران شهری در تصمیمگیریهای مناسب انتخاب راه حلهای کنترل مقابل با مخاطرات احتمالیکمک مؤثری میکند. بنابراین در تحقیق حاضر میزان بافت جدید (منطقۀ یک) قدیمی چهار) شهر ارومیه بر اساس شاخصهای پدافند غیرعامل حملات هوایی ارزیابی تطبیقی میشود. برای رسیدن هدف، پس از مطالعۀ منابع مرتبط، تعداد 10 شاخص بین ع...
سلول های خورشیدی cds/cdte از جمله گزینه های مطرح در کاربردهای فتوولتاییک به شمار می آیند.cdte که دارای گاف نواری مناسب و ضریب جذب بالایی است، در سلول خورشیدی به عنوان لایه جاذب عمل می کند و به همراه cds پیوندگاه سلول خورشیدی را تشکیل می دهد. در این ژایان نامه، برای تهیه لایه های نازک cdte و cds از روش اسپری پایرولیزیز استفاده شده است. میزان عبور اپتیکی نمونه ها، مقاومت الکتریکی سطحی و ویژگی ه...
برای بررسی فرآیندهایی که در سلولهای خورشیدی رخ میدهند، مدلهای اپتیکی و الکتریکی بسیاری مورد استفاده قرار میگیرند. در این مقاله، شبیهسازی اپتیکی سلول خورشیدی پروسکایتی بر اساس فرمولبندی ماتریس انتقال با استفاده از ضرایب شکست مختلط تابع طول موج ساختار چندلایهای ارائه شدهاست. بهعبارتی برای سلول خورشیدی پروسکایتی با انتقال دهندههای الکترون متفاوت، خواص اپتیکی از جمله جذب اپتیکی، انرژی اتلا...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید