در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله روی رفتار رسانندگی الکترونی بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی نانو لوله های نوعی مذکور نشان می دهد که نانو لوله با سا...

در این مقاله، به بررسی ساختار نواری و چگالی حالات الکترونی ابرشبکه های نانولوله کربنی تک دیواره n(12,0)/m(6,6) و n(12,0)/m(11,0) می پردازیم که از اتصال نانولوله های زیگزاگ و دسته صندلی (آرمچیر) ایجاد می شوند. در ناحیه فصل مشترک، نقص های توپولوژیکی جفت پنج- هفت ضلعی در شبکه شش گوشی کربن ظاهر می شوند. این نقص ها باعث بر هم زدن تقارن سیستم شده و در نتیجه منجر به تغییر خواص الکتریکی ابرشبکه ها می ش...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

به منظور به دست آوردن موادی با خاصیت ترموالکتریک بالاتر برای استفاده در ساخت وسایل خنک کننده و ترموکوپل، ضریب سیبک نمونه ها اندازه گیری شد که نتیجه به دست آمده نشان داد که نمونه با کمترین مقدار آنتیموان دارای بیشترین خاصیت ترموالکتریکی است

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

ویژگی ها نوری و الکتریکی و بسیاری از ویژگی ها دیگر نانوذرات نیم رسانا به طور شدید به اندازه آن ها وابسته است. در این میان کادمیم سلنید در ردیف مهمترین نانوبلور های نیم رسانا است که با ویژگی های جالبی همراه است. در این پژوهش روش جالب توجهی برای تهیه نقاط کوانتومی متشکل از CdSe با توزیع اندازه یکنواخت گزارش شده است. در روش های قدیمی تر از ترکیب تری اکتیل فسفین اکسید (TOPO) به عنوان پایدار کننده ا...

در این مقاله، طیف لومینسانس گسیلی از چینش هسته-چند پوسته در نانو سیم‌های نیم رسانای غیر قطبشی  با تقارن شعاعی بررسی شده است. حل خودسازگار معادلات شرودینگر و پواسون پایه اصلی محاسبات عددی برای به دست آوردن توابع موج، تراز‌های انرژی، کج شدگی‌های باند در اثر آلایش مناسب در سیستم و تاثیرات آن در طیف لومینسانس گسیلی از نانوسیم است. نتایج مقاله دارای کاربردهای فراوان در پیش‌بینی نتایج تجربی و عملکرد ...

ویژگی ها نوری و الکتریکی و بسیاری از ویژگی ها دیگر نانوذرات نیم رسانا به طور شدید به اندازه آن ها وابسته است. در این میان کادمیم سلنید در ردیف مهمترین نانوبلور های نیم رسانا است که با ویژگی های جالبی همراه است. در این پژوهش روش جالب توجهی برای تهیه نقاط کوانتومی متشکل از cdse با توزیع اندازه یکنواخت گزارش شده است. در روش های قدیمی تر از ترکیب تری اکتیل فسفین اکسید (topo) به عنوان پایدار کننده ا...

در سال‌های اخیر، الکترونیک چاپی، از هر دو بعد پژوهشی و تجاری مورد توجه گسترده‌ای قرار گرفته است. این توجه از آن جهت بوده است که با بهره‌گیری از الکترونیک چاپی، می‌توان قطعات الکترونیکی را در مقیاس گسترده، قیمت پایین، بر روی بسترهای گوناگون و حتی با قابلیت انعطاف‌پذیری تولید نمود. جز عملگر اصلی در جوهرهای الکترونیک چاپی، نانوذرات رسانای موجود در آنها است. از میان انواع ساختارهای رسانا که می‌توان...