در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

در این پروژه، مدل سازی تمام گسترده ترانزیستورهای گالیم آرسناید در فرکانس های بالا بررسی شده است. با استفاده از این روش و با فرض ترانزیستور به عنوان سه خط کوپل شده فعال، معادلات amtl و namtl بترتیب در رژیم خطی و غیرخطی استخراج شده اند. این معادلات در حوزه زمان با استفاده از روش عددی تفاضلات محدود در حوزه زمان حل و نتایج آنها با نتایج حاصل از روش شبه گسترده که توسط نرم افزار ads انجام شده، مقایسه...

به دلیل نیاز تراشه ها به اتصالات نوری ترانزیستور لیزر با قابلیت ارسال سیگنال نوری والکتریکی به طور همزمان در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفتهاست به این دلیل در این پروژه سعی شده است ابتدا روند پیدایش ترانزیستور لیزر بیان شد ساختار تکنولوژی ساخت و پارامترهای کاری از اعم از نوری والکتریکی برای یک ترازیستور لیزر یا طول های کاواک 150 و 400 مورد بررسی قرار می گیرد. سپس چگونگی توید نور در بیس ...

در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

بررسی عملکرد یک عنصر نیمه هادی بدون ساختن آن تنها با شبیه سازی رفتار آن میسر می-شود. هدف از این تحقیق شبیه سازی عددی سلول های خورشیدی چند پیوندی به کمک دسته معادلات دریفت- دیفیوژن به منظور بررسی مشخصه های درونی این گونه سلول ها از جمله توزیع حامل های بار الکتریکی و بار کل فضا، توزیع میدان و پتانسیل الکتریکی درونی، ساختار باند هدایت و همچنین بررسی مشخصات خروجی آن ها از قبیل منحنی ولتاژ- جریان، م...