در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

مشخصه یابی ترانزیستورها و محاسبه پارامترهای مختلف آن ها در نواحی کاری متفاوت و بررسی تغییرات آن ها با تغییر در ولتاژ و دما، از مهم ترین مسائل جهت ارائه مدلی صحیح و دقیق برای ترانزیستور است. اگرچه روش های بسیاری برای استخراج پارامترهای ترانزیستور گزارش شده است، اما از آن جا که برای بهبود بخشیدن به کارایی ترانزیستورها در کاربردهای مختلف، از جمله کوچک سازی، افزایش فرکانس و توان کاری، ساختارهای جدی...

در این پروژه هدف طراحی و شبیه سازی مداری جهت اندازه گیری بار ذخیره شده در گیت شناور یک ماسفت گیت شناور است. ماسفت گیت شناور ساختاری شبیه به ماسفت معمولی دارد با این تفاوت که بین گیت کنترلی و زیرلایه آن یک گیت شناور پلی سیلیسیمی وجود دارد که توسط عایق دی اکسید سیلیسیم احاطه شده است.می توان بار را با کمک خاصیت تونل زنی دراین گیت شناور برای مدت طولانی ذخیره نمود. برای اندازه گیری این بار ابتدا ساخ...

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی

در این تحقیق، چالش های موجود در طراحی اسیلاتورهای یکپارچه، علت استفاده از روش های هوشمند، شماری از روش های هوشمند بکارگرفته تاکنون و راهکارهای هوشمند در طراحی و بهینه سازی اسیلاتورهای یکپارچه ارائه شده است. در ادامه یک ابزار طراحی به کمک رایانه (cad tool) با بکارگیری الگوریتم جستجوی هارمونی (hs) در محیط متلب (matlab) با استفاده از تحلیل تعادل هارمونیک (harmonic balance) در شبیه سازی اچ اسپایس آ...

فناوری cmos از مزیت های متعددی همچون قابلیت اطمینان بالا، سادگی ساخت و مقیاس پذیری برخوردار است و به همین علت در چند دهه ی اخیر به عنوان اصلی ترین فناوری در ساخت مدارهای مجتمع مطرح بوده است. جالب اینکه، در تمام دوره ی حیات خود، این فناوری همواره به سرعت در حال پیشرفت بوده است به گونه ای که به طور مستمر شاهد تولد تراشه هایی بوده ایم که سرعت بالاتر، توان مصرفی کمتر و کارآیی بیشتر داشته اند. کاه...

کلید­های cmos یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار می­روند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصه­های غیر ایده­آل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آست...

در این پایان نامه مشخصات جریان- ولتاژ ماسفت های کانال کوتاه دو دروازه ای با طولهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است. در ابتدا جریان زیر آستانه ی این قطعات برای طولهای کانال 100 و 50 و 20 نانومتر محاسبه شده است و نشان داده ایم که جریان زیر آستانه برای قطعه با طول کانال کوچکتر، مقدار بزرگتری دارد و هر چه طول کانال بزرگتر باشد بستگی جریان زیر آستانه به جریان دررو کمتر است. همچنین نشان داده ایم که ...

مطالعه خواص ترابرد الکترونی در ترانزیستور ماسف با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو تحت تاثیر میدانهای الکتریکی بالا.با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو که یک روش آماری می باشد تادادی از الکترونها را در فضای فاز در نظر گرفته و حرکت آنها را در شرایطی که میدان نیز اعمال کرده ایم بررسی میکنیم.به طوری که حرکت ذرات در هر لحظه با حل معادله بولتزمن انجام میشود