در این رساله به بررسی خواص ساختاری و الکترونی تک لایه با استفاده از تقریب های معمول در نظریه تابعی چگالی می پردازیم. در این تحقیق، ساختار تک لایه به دلیل وجود اوربیتال نیمه پرd در اتم مولیبدن، سیستم را هم بصورت همبسته قوی و هم بصورت معمول محاسبه می کنیم. با انجام محاسبات بصورت تقریب های معمول در نظریه ی تابعی چگالی از قبیل تقریب های و مشاهده می شود که نتایج بدست آمده در توافق خوبی با تقریب م...

در این پایان نامه توزیع تنش برشی و تنش ناشی از تورق در اتصالات چسبی صلب و تک نوار در سطح میانی لایه‏ ی چسب، مورد بررسی قرار گرفته است. لایه‏ ی چسب به‏ صورت همسانگرد و ورق‏ های چسب‏ شونده می توانند از نوع ارتوتروپیک عمومی یا ایزوتروپیک باشند که تحت نیروی کششی و گشتاور خمشی قرار گرفته‏ اند. رفتار چسب و لایه ها در محدوده ی الاستیک خطی است. در این تحلیل از دو نظریه مرتبه اول و کلاسیک صفحات چندلایه ...

در این بررسی لایه نازک کربن شبه الماسی بر سلول خورشیدی سیلیکونی پلی کریستال نوع P با استفاده از دو گاز هیدروژن و متان به روش رسوب شیمیایی بخار تقویت شده به کمک پلاسما با منبع تغذیه فرکانس رادیویی        (RF-PECVD) اعمال گردید. سپس چسبندگی پوشش به زیرلایه، ساختار کریستالی، نوع پیوندها، نسبت هیبریداسیون SP2 به SP3، توپوگرافی و مورفولوژی سطح پوشش به ترتیب به وسیله روش­های آزمون نوار چسب، پراش پرتو...

تغییر ضریب شکست نور در نوار باریکی از سطح مواد نوری مناسب، موجبرهای نوری را نتیجه می دهد. یکی از مشهورترین روش های ساخت این موجبرها، نفوذدهی عناصر فلزی مناسب نظیر روی در نوار باریکی از سطح بلور نیوبات لیتیم است؛ پایداری خواص ویژه نیوبات لیتیم در اثنای دست یابی به بهینه شرایط نفوذ، از اهمیت بسیار برخوردار است. اهداف این تحقیق عبارتند از عملی نمودن نفوذ حرارتی روی در زیرلایه نیوبات لیتیم در بهتری...

بتاگالیم اکساید فتوکاتالیستی است که با بهره پایینی متان و دی اکسید کربن را به هیدروژن و مونوکسید کربن تبدیل می کند. یکی از راه های افزایش بهرهء واکنش فتوکاتالیستی کاهش گاف انرژی و یا تسهیل حرکت الکترون از لایه والانس به لایه هدایت می باشد. در این کار تحقیقاتی اثر یون های داپ شده با شعاع های مختلف بر گاف انرژی بتاگالیم اکساید با روش dft و تقریب شیب تعمیم یافته و با استفاده از نرم افزار wien2k بر...

در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه ها و هم چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط های لازم و کافی برای بازتاب صد درصدی از سطح بلور متشکل از دی الکتریک های دو لایه ای به دست می آیند. با در نظر گرفتن ا...

بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه گاف نوار فوتونی نامیده می شود. بلورهای فوتونی یک بعدی ساختارهای دی الکتریکی هستند که خصوصیات اپتیکی-شان در یک جهت تغییر می کند، این جهت محور تناوبی نامید...

اخیراً با معرفی ماده به عنوان یک تک لایه با گاف انرژی مستقیم دانشمندان را بر آن داشت تا به بررسی ساختار الکترونی این تک لایه بپردازند. در این پایان نامه ابتدا ما به بررسی ساختار الکترونی به صورت حجمی و تک لایه پرداخته و با توجه به کاربرد توابع وانیر در محاسبات ترابرد و خواص اپتیکی موادو... ، از اینرو به محاسبه توابع وانیر نوار های رسانش و ظرفیت برای تک لایه می پردازیم. از آنجا که توابع وانیر ی...

گرافن یک تک لایه اتمی نازک از گرافیت و شبکه¬ای شش وجهی از اتم¬های کربن است، که حالت¬های الکترونیکی کم انرژی آن با فرمیون¬های بدون جرم دیراک توصیف می¬شوند. اگر پهنای یک نوار گرافنی را کاهش دهیم، آن¬گاه نانو نوارهای گرافنی شکل می¬گیرد، که اثرات وابسته به اندازه نانو نوارها روی خواص ترابردی آن¬ها نیز وارد می¬شود. در این پایان¬نامه، اثرات مقیاس نانو را روی خواص فیزیکی نانو نوارهای گرافنی بررسی می¬ک...