نیترید های سه ظرفیتی با گاف نواری وسیع خود جایگاه مهمی در حوزه اپتوالکترونیک و قطعات الکترونیکی با توان و فرکانس بالا یافته اند. از میان آنها gan مهمترین و پرکاربرد ترین نیترید سه ظرفیتی است و aln،inn وscn از دیگر اعضای مهم این خانواده هستند.در این پایان نامه تلاش شده است لایه نازک aln به روش رشد روآراستی فاز بخار هیدرید (hvpe) ساخته شود. hvpe روشی مفید برای ساخت نیتریدهای سه ظرفیتی از جمله gan...

فرضیه‌: ایجاد تخلخل در لایه حساس کامپوزیت پلیمری رسانا موجب بهبود متغیرهای عملکردی حسگر شناسایی گاز تهیه‌شده می‌شود.روش‌ها: در این پژوهش، از کامپوزیت متخلخل پلی(وینیل‌الکل)-نانولوله کربن به‌عنوان لایه حساس برای شناسایی متانول، اتانول و آب (به‌عنوان زیست‌شناساگرهای سرطان ریه) استفاده شد. تخلخل در ماتریس پلیمری با روش جدایی فاز القایی با بخار ایجاد شد. محلو...

لایه منیزیم فلوراید به دلیل خاصیت پاد بازتابندگی خود امروزه در صنایع اپتیکی و ساخت انواع لنزها با قابلیت پاد بازتابندگی مورد استفاده قرار می گیرد. در این پروژه منیزیم فلوراید با استفاده از روش تبخیر باریکه الکترونی تبخیر شده و بر روی زیرلایه ای از جنس شیشه قرار گرفته است. این فرایند در دماهای 300،200،100،30 درجه سانتی گراد انجام گرفته و سپس در هر یک از دماهای ذکر شده ضریب عبور و ضریب شکست لایه ...

لایه نشانی شیمیایی بخار یک ماده ی پلیمری (پلی کربوسیلان) در یک رآکتور استوانه ای و در فشار جو با استفاده از گاز آرگون، به عنوان گاز حامل، برای تولید فیلم نازک سیلیکون کرباید، شبیه سازی شده است. شبیه سازی به صورت عددی و با به کارگیری روش حجم محدود، انجام شده است. تاثیر پارامترهای کسرجرمی ورودی، عدد رینولدز ورودی، دمای زیرلایه، فاصله ی زیرلایه از ورودی، دمای دیواره ی رآکتور، دمای مخلوط ورودی، و ...

لایه¬های نازک نیمرسانای سولفید روی (zns) از جمله نیمه هادیهای ترکیبی گروههای ii-vi می¬باشد که به دلیل کاربرد وسیعش دراپتو الکترونیک، مانند دیودهای منتشرکننده نور آبی، قطعات الکترولومینسانس و سلولهای فوتو ولتائیک تحقیقات فراوانی روی آن صورت گرفته است. در این تحقیق لایه¬های نازک سولفید در دو دمای مختلف زیر لایهc º 25 وcº 200 و در ضخامتهای مختلفnm 600-nm 100 بر روی زیرلایه شیشه¬ای به روش تبخیر د...

در این مقاله، نانوسیم‌های SnO2 با قطر متفاوت به روش رسوب­دهی بخار شیمیایی (CVD) بر روی زیرلایه‌های آلومینا، کوارتز و سیلیکون (100) سنتز شدند. نانوساختارهای یک بعدی سنتز شده بوسیله پراش پرتو X، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف فوتولومینسانس و میکروسکوپ الکترونی عبوری مشخصه‌یابی شدند. از نانوسیم‌های SnO2 به عنوان لایه حساس و فعال در ساخت حسگر گاز استفاده شده است. برای ایجاد اتصال الکتریکی یک جفت الک...

نانوذرات نقره در بستری از لایه های کربن شبه الماسی به روش لایه­نشانی همزمان کندوپاش با امواج رادیویی و انباشت شیمیایی بخار، به کمک پلاسما و با استفاده از گاز عامل استیلن و هدف نقره ساخته شد. از آنجا که شرایط ساخت، همچون فشار اولیه و توان منبع امواج رادیویی ثابت نگه داشته شده بود، با تغییر زمان انباشت تغییر فازی در نوع دانه بندی، خواص الکتریکی و اپتیکی این لایه ها مشاهده شد که مورد تجزیه و تحلیل...

در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی ...

در این مطالعه با استفاده از اندازه گیری‌های آزمایشگاهی در دامنه گسترده‌ای از پارامترهای مواج سطح، دمای آب و سرعت هوا برای ، نرخ تبخیر در رژیم‌های همرفت طبیعی، ترکیبی و اجباری با هم مقایسه شده است. نتایج اندازه‌گیری شده نرخ تبخیر برای سطوح مواج نشان می‌دهد با افزایش پارامتر سطح مواج ، نرخ تبخیر رفتار متفاوتی را با تغییرات رژیم جریان همرفت نشان می‌دهد. در رژیم همرفت طبیعی، با افزایش نسبت ارتفاع ب...