در دهه¬های اخیر ساخت ابزارهای الکترونیکی با استفاده از مواد نانومقیاس، تغییرات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است. انتخاب ماد? مناسب جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی با عملکرد بالا با پای? نیم¬رساناهای ترکیبی با گاف نواری پهن، از مهم¬ترین مراحل است. از میان هم? اکسیدهای فلزی، zno به¬دلیل فرآیند ساخت آسان، گاف نواری مستقیم و پهن ev 37/3، انرژی پیوندی اکسایتونی بالا mev 60 و تنوع ریخت از مناسب¬تر...

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی (zno ) از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک روی(zn )، که به روش کندو پاش مگنترون بر زیر لایه نیوبات لیتیم انباشت شده، تولیدگردیدند. وابستگی به دما و مدت زمان گرمادهی ویژگی های اپتیکی این نانولایه ها مورد مطالعه قرار گرفته است. تغییرات توان عبوردهی(t)، بازتابندگی(r) و ضریب خاموشی(k) نمونه ها برای گستره طول موج 1100-200 نانومترنسبت به دما و زمان حرارت دهی ا...

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی (ZnO ) از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک روی(Zn )، که به روش کندو پاش مگنترون بر زیر لایه نیوبات لیتیم انباشت شده، تولیدگردیدند. وابستگی به دما و مدت زمان گرمادهی ویژگی های اپتیکی این نانولایه ها مورد مطالعه قرار گرفته است. تغییرات توان عبوردهی(T)، بازتابندگی(R) و ضریب خاموشی(k) نمونه ها برای گستره طول موج 1100-200 نانومترنسبت به دما و زمان حرارت دهی ...

در این پژوهش، اثر کاشت یون +N در نیم‌رسانای ZnO (اکسید روی) جهت بررسی تغییرات خواص لایۀ نازک ZnO  بررسی شده است. بدین منظور لایۀ نازکی از ZnO به ضخامت nm ١٢۰ با استفاده از روش کندوپاش تهیه شد و سپس به وسیلۀ یون­های N+ با انرژی keV ۵۰ و شار ١۰١٤ (/cm2یون) به مدت زمان ۳ ثانیه بمباران شد. تأثیر کاشت یون+N در خواص بلوری ZnO توسط آنالیزXRD (پراش پرتو X) و تغییرات ریخت­شناسی سطح به وسیلۀ آنالیزهای AF...

در سال های اخیر، بسیاری از تحقیقات بر روی آشکارسازهای نوری فرابنفش با کارایی بالا متمرکز شده است. کاربردهای مهم این ادوات در زمینه های نظامی و غیر نظامی کاملا مشهود است، دیودهای سد شاتکی با ساختار فلز نیمه هادی با ویژگی های مهم سادگی ساخت، زمان پاسخ کوتاه، قابلیت مجتمع سازی، جریان تاریکی پایین و توانایی عملکرد تحت بایاس مستقیم و معکوس از جمله آشکارسازهای مهم محسوب می شوند. از میان نیمه هادی های...

در این تحقیق لایه‌های نازک N:ZnO روی زیر لایه شیشه با استفاده از کندوپاش DC در فشار کاری Torr 2-10×2 در مخلوط گازهای آرگون و نیتروژن لایه نشانی شدند. ضخامت، ریخت‌شناسی، ساختار کریستالی و خواص اپتیکی لایه‌ها در سه زمان کندوپاش مختلف شناسایی شدند. با افزایش زمان لایه نشانی، ضخامت لایه‌ها، زبری سطح و ارتفاع دانه‌ها افزایش می‌یابد. لایه‌ها دارای بافت قوی کریستالی در راستای (002) با ساختار هگزاگونال...

در این پایان نامه روشی نسبتاً آسان، جدید، کم هزینه و عدم نیاز به وسایل پیچیده برای رشد نانوساختارهای zno ارائه شده است. در این پروژه تمامی لایه های نازک zn به روش pvd بر روی لام معمولی لایه نشانی شده اند و در بازه دمایی پایین ?c)600-400( درون کوره لوله ای بدون کاتالیست، تحت شار اکسیژن اکسیدشده اند و نانوساختارهای zno از روی دانه های منفرد zn رشد کرده اند. تصاویر sem بدست آمده از نمونه ها، رشد نا...

یکی از بهترین جایگزین ها برای دی اکسیدتیتانیوم در فوتوالکترود سلول خورشیدی رنگدانه ای، اکسیدروی است که ترابرد الکترون در آن بسیار بالاتر از tio2 است. اما پایداری شیمیایی کم zno در مجاورت محلول اسیدی رنگدانه، بازده سلول های خورشیدی ساخته شده بر پایه zno را محدود می کند. در این پژوهش برای ساخت فوتوالکترود برپایه zno، رشد نانوساختار دوبعدی zno به روش الکتروشیمیایی انجام شده است. سپس به منظور افز...

در‎ دهه اخیر نانوساختار های ‎$zno$‎‎‎ بواسطه برخورداری ازمورفولوژی متنوع و‎‎‎ همچنین کاربرد وسیع در زمینه وسایل اپتیکی الکتریکی و سنسورها بیش از پیش مورد تحقیق وبررسی قرار گرفته اند. از انجا که نانوساختارهای ‎$zno$‎‎‎ موادی سازگار با طبیعت هستند این نوع مواد برای کاربر‎‎د در وسایلی که از انرژی پاک خورشیدی استفاده می کنند مورد مطالعه قرار گرفته اند. در این تحقیق سلول خورشیدی مورد نظ‎‎‎ر از نانوس...

در این پایان نامه، لایه نازک اکسید روی خالص و آلائیده با آلومینیوم برای کاربری به عنوان لایه ی رسانای اکسیدی شفاف در سلول های خورشیدی لایه نازک، ساخته شد و مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور لایه های نازک zno و azo (0، 3، 6 و 12 درصد مولی آلومینیوم) به روش لایه نشانی چرخشی بر پایه سل ژل بر روی زیرلایه ی شیشه ساخته شد. بعد از ساخت نمونه ها، به بررسی اثر دمای پخت، آلایش al و تابش لیزر به سطح لایه ه...