اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...

در ساخت لایه نازک cuinse2 نتایج آنالیزهای کمی rbs و eds حاکی از مرجح بودن پیکربندیa نسبت به پیکربندیb با توجه به رشد 2درصدی سلنیوم در فاز نهایی است، که این را می‎توان به تامین اتمسفر فشار بالای سلنیوم در این حالت در مجاورت سطح پیش‎ماده‎های فلزی نسبت داد. این در حالی است که درصد مذکور را بازهم می‎توان با استفاده از محفظه‎های نیمه بسته افزایش داد. تاثیر مستقیم افزایش دما تا c ?560، در تقویت شدت ...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

در این پایان نامه یک روش شیمیایی برای لایه نشانی لایه های نازک نانوکریستال cus با استفاده از محلول آبی مس استات تک آبه (منبع مس)، تیواستامید (منبع گوگرد) وتری سدیم سیترات (عامل کمپلکس ساز) در دمای اتاق، پیشنهاد شده است. در این تحقیق، آب به عنوان حلال و تری سدیم سیترات به عنوان عامل کمپلکس ساز هر دو از مواد شیمیایی غیر سمی و تجدیدپذیر می باشند. لایه ها به وسیله الگوی پراش اشعه ی ایکس،xrd، آنالیز...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

الکتروانباشت یکی از روشهای ساده ولی در عین حال پرکاربرد و قوی در زمینه رشد لایه های نازک فلزی است. با استفاده از این روش لایه های نازک ni و ni-co-cu از محلول های سولفاتی- سیتراتی تهیه گردیدند. به منظور بررسی رفتار پتانسیودینامیکی الکترولیت، منحنی cv مربوط به آنها تهیه و مورد مطالعه قرار گرفت. سپس با انتخاب ولتاژهای مناسب از روی این منحنی ها، عملیات لایه گذاری انجام گرفت. لایه ها تحت شرایط مختلف...

این تحقیق شامل سنتز و بررسی ساختار پوشش نانوکامپوزیتpolyaniline–bi–sb–te–se به روش رسوب الکتریکی و واکنش های الکتروشیمیایی است. هدف از مطالعه این موضوع تولید مواد ترموالکتریک ارزان تر با بازدهی بالا از طریق پیچیدن یک پلیمر رسانا به دور نانو مواد معدنی نظیر تلوریم ، بیسموت و….و تولید یک ماده کامپوزیتی در مقیاس نانو می باشد. این مواد کامپوزیتی علاوه بر ارزان بودن و سادگی تولید ، ویژگی ترموالکتریک...

چکیده آزمایش با 2 فاکتور، کود نانو فرتایل (0، 500 و 1000 میلی گرم بر لیتر) و رقم (گریت لیک و سوپر سالاد) انجام شد. نتایج پژوهش حاضر نشان داد که پارامترهای رویشی سطح برگ، وزن تر و خشک اندام هوایی و ریشه با کاربرد 1000 میلی گرم بر لیتر کود نانو فرتایل افزایش یافتند. در اثر این تیمار رنگدانه های فتوسنتزی، کربوهیدرات های محلول و غلظت عناصر غذایی (k, ca, p, mg, zn, cu, mn, fe) در گیاه افزایش یافتند...

هدف از تحقیق حاضر بررسی تأثیر افزایش مدت زمان رسوب دهی و در نتیجه افزایش ضخامت بر خواص لایه های نازک تیتانیم ایجاد شده روی زیرلایه فولاد زنگ نزن 316l با استفاده از روش رسوب دهی فیزیکی بخار (pvd) است. به این منظور، عملیات رسوب دهی در مدت زمان های مختلف 5، 10، 15 و 20  دقیقه انجام شد تا لایه هایی با ضخامت های مختلف ایجاد شود. سپس ضخامت لایه های نازک تیتانیم با استفاده از دستگاه پروفیل سنج اندازه ...

این مدل شبیه سازی از روش رو نشست با زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو استفاده شده است. مدل بکار رفته رشد، رشد بالستیک bd می باشد. شار ذرات فرودی تحت زاویه ای مشخص نسبت به نرمال سطح به سمت زیرلایه فرود می آیند. دو عامل فیزیکی الف) سایه اندازی و ب) محدودیت در تحرک پذیری ذرات فرودی باعث گردیده ساختارهای حاصل از این روش بصورت ستون های مجزا با اشکال مختلف که با فضاهای خالی از هم جدا شده اند، در...