افت و خیزهای سطحی سیلیکان متخلخل ضمن فرایند خوردگی با محلول بازی KOH مبتنی بر رویکرد فراکتالی مورد بررسی قرار می گیرد.  تصاویر حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی ظهور ساختارهای هرم گونه را نشان می دهد. داده های حاصل از میکروسکوپ نیروی اتمی ضمن تحلیل چند فراکتالی MFDFA نشان می دهند که سطوح سیلیکان قبل از حکاکی دارای ساختاری منظم و تک فراکتال با نمای هارست  هستند. افزایش زمان حکاکی منجر...

امروزه استفاده از سوخت های با چگالی بالا به منظور کاهش حجم قلب راکتور و بالا بردن میزان شار نوترونی در سایت های تابش دهی داخلی و خارجی قلب راکتور های تحقیقاتی و کاهش میزان مصرف سوخت مورد توجه می باشد. ترکیبات سیلیساید اورانیوم (u3si2) به علت داشتن چگالی سوخت بالاتر نسبت به سوخت های اکسیدی ونیز خواص بهتر در مقابله با تابش های داخل قلب راکتور کاربرد گسترده ای یافته اند. هدف از این تحقیق بررسی جای...

برای ساخت سیلیکان متخلخل از ویفر سیلیکان نوع p با مقاومت -cm? 10-1 و با جهت بلوری (100) استفاده شده است. تخلخل بوسیله فرآیند الکتروشیمیایی، در محلول حاوی اسید hf و اتانول و با نسبت حجمی (1:1) صورت گرفته است. در طول زمان آندیزاسیون تمامی عوامل موثر بر میزان تخلخل مانند جنس سیلیکان زیر لایه، نوع محلول، شرایط محیط ( روشنایی، دمای محیط، میزان رطوبت) و چگالی جریان ثابت نگاه داشته شده و تنها با تغبیر...

هدف اصلی این پایان نامه مطالعه و بررسی اثر تنش بر روی نانوساختار های سیلیکان متخلخل می باشد. سیلیکان متخلخل ساختاری است که در اثر فرآیند الکتروشیمیایی بر روی سطح ویفر سیلیکان ساخته می شود. نمونه های سیلیکان متخلخل از سیلیکان نوع p با مقاومت ویژهcm ? 5-1 و جهت گیری صفحه بلوری (100) تحت شرایط آندیزاسیونی با محلولی حاوی غلظت اسید هیدروفلوئوریک 40-38 % و اتانول به نسبت حجمی (1:1) با چگالی جریان ثاب...

10 ma/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظت محلول الکترولیت در طول ساخت بوده و کاهش شدت بازتاب به دلیل کاهش ابعاد ذرات است. علاوه بر آن ناحیه مربوط به کمترین (...

هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را درشکل ساختارهای به دست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه سازی کند. برای تأثیر نوع آلایش, ضریب چسبندگی و برای تأثیر چگالی جریان, پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش محدود اعمال کردیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که پارامتر ضریب چسبندگی در کنترل ضخامت خلل مؤثر است در حالی که پارامتر ...

چکیده سیلیکان متخلخل یک ماده بسیار خوب به عنوان حسگر تشخیص گاز می باشد. این امر به سبب خلل و فرج هایی است که در سطح سیلیکان ایجاد می شود. گاز وقتی از روی سیلیکان متخلخل عبور می کند در این خلل و فرج ها وارد می شود و به راحتی می تواند باعث تغییر در خواص الکتریکی آن شود. برای ایجاد تخلخل در سیلیکان از محلول الکترولیت، بر پایه اتانول و اسید hf استفاده شد تا حفره های ایجاد شده از نوع مزو متخلخل و ...

  Porous silicon (PS) layers come into existance as a result of electrochemical anodization on silicon. Although a great deal of research has been done on the formation and optical properties of this material, the exact mechanism involved is not well-understood yet.   In this article, first, the optical properties of silicon and porous silicon are described. Then, previous research and the prop...

سیلیکان متخلخل (ps) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ماده سیلیکان بوجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن بویژه فوتولومینسانس (pl) آن شده، اما هنوز ساز و کار دقیق آنها شناخته نشده است . در این پایان نامه ابتدا ساختار و خواص نوری سیلیکان بیان می شود. سپس تحقیقات و مدلهای پیشنهاد شده در مورد تشکیل ps و منشا pl آن مرور می شود. پس از آن نظریه پراکندگی نور...

در این پایان نامه لایه نشانی sio2 روی ویفر سیلیکان با سه روش تبخیر پرتو الکترونی، بخار شیمیایی و اکسیداسیون گرمایی گزارش شده است. هدف از این لایه نشانی ایجاد یک لایه ی محافظ به منظور ساخت موجبر نوری از جنس نانوسیم های zno می باشد. موجبر تشکیل شده از نانوسیم های zno محیط مناسبی برای انتشار امواج نوری و ساخت نانولیزرهاست که در قطعه های گسیلنده نور و در مدارهای مجتمع نوری مورد استفاده قرار می گیرد...