نانوکامپوزیت کبالت اکسید-نانولوله های کربنی چندلایه از طریق آبکاری الکتروشیمیایی بر روی نانو لوله های تیتانیم دی اکسید ترسیب شد. مطالعات مورفولوژی وجود نانوکامپوزیت ترسیب شده با مساحت بالا را تایید کردند. مطالعات خازنی توسط تکنیک های ولتامتری چرخه ای، شارژ/دشارژ و طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی انجام گرفت. بررسی های الکتروشیمیایی نانو کامپوزیت ها نشان داد که رفتار خازنی این الکترود در مقایسه با...

دراینپژوهش، تهیه و مطالعه رفتارالکتروشیمیاییکامپوزیت پلیآکریلآمید ـ روی اکسید (polyacrylamide-zno) انجامشد. نانو کامپوزیتپلیآکریلآمید ـ روی اکسید با مقدارهای گوناگون روی اکسید بهروش پلیمریزاسیونشیمیایی تهیهشد.مورفولوژی، ساختار بلوری، پایداری گرمایی و مطالعه­ های پرتو­سنجی این نانوکامپوزیت به ترتیب توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، پراش پرتو-x(xrd)، تجزیه گر گرما وزنی (tga) و پرتو سنجی تبدیل ...

امروزه فشار روز افزون در جهت بهره برداری حداکثر از سیستم های انتقال موجود و توسعه انواع جدید جبران کننده های استاتیکی و قابل کنترل توان راکتیو، لزوم استفاده از خازن های موازی در سیستم توزیع را بیش از پیش آشکار ساخته است. از آنجا که بارهای یک شبکه توزیع به طور دائم مشغول به کار نبوده و در طول ساعات شبانه روز تغییر می کنند، جهت جلوگیری از افزایش ولتاژ شبکه ناشی از وجود خازن ها، می بایست کلید زن...

مبدل های ولتاژ به ولتاژ جریان مستقیم که با نام تنظیم کننده های ولتاژ کلیدزنی نیز شناخته می شوند، یکی از اجزای اصلی بخش مدیریت توان هستند. نقش این مبدل ها مهیا کردن ولتاژ خروجی ثابت و صاف برای انتقال توان به ادوات الکترونیکی است. از آنجایی که در برخی از نقاط مدار مجتمع نیاز به کاهش و یا تقویت ولتاژ است و با در نظر گرفتن این که معمولاً نمی توان جریان نقطه مورد نظر را تغییر داد، روی کاهش یا تقویت و...

در این پایان نامه پس از بررسی ساختارهای گوناگون موجود برای حسگر اثرانگشت ساختار جدیدی برای حسگرهای اثرانگشت خازنی mems ارائه گردیده است، که با رفع ضعف های طرحهای پیشین و استفاده از نکات مثبت آنها موفق به افزایش حساسیت در اینگونه حسگرها شده است. حسگرهای خازنی از دو صفحه موازی که در فاصله ی معینی از هم قرار دارند تشکیل شده است. در این حسگرها تغییرات خازنی عامل بسیار مهمی در تعیین عملکرد آنها می ب...

ژنراتور تراکم شار مغناطیسی انرژی حاصل از انفجار را به انرژی مغناطیسی تبدیل می نماید. در این پروژه عوامل موثر و پارامترهای تاثیرگذار و یک متد جدید تحت عنوان مدل شش ضلعی منتظم لانه زنبوری جهت پیش بینی و اندازه گیری ظرفیت خازنی پراکندگی در بین رشته سیم های هادی یک حلقه از کویل (c_ss) و در بین رشته-لاینر (c_sl) و نیز ظرفیت خازنی لایه-لایه (c_ll) بین لایه های یک حلقه از کویل و همچنین ظرفیت خازنی حلق...

در فناوری mems، ساختارهای خازنی وجود دارد که در سال های اخیر، ساختارهای خازنی با صفحه فوقانی چهار طرف ثابت مورد استفاده فراوان قرار گرفته اند. در این ساختارها، ولتاژ بحرانی بسیار اهمیت دارد. این بدان علت است که با افزایش ولتاژ ورودی، مقدار جابه جایی صفحه متحرک فوقانی بیشتر شده و درصورتی که این مقدار ولتاژ از حد مجاز افزایش یابد، ساختار دچار فروپاشی می گردد. این ولتاژ، به عنوان ولتاژ بحرانی شناخ...

بوشینگ های خازنی یکی از اجزاء کلیدی ترانسفورماتورهای قدرت هستند که علی رغم جزئی بودن قیمت آنها در برابر قیمت کل ترانسفورماتور، کیفیت آنها تأثیر عمده ای بر کارکرد و قابلیت اطمینان ترانسفورماتور دارد. در بوشینگ های خازنی ولتاژ بالا، تجمع ولتاژ و شدت میدان الکتریکی بر روی چترک های مقره، بسیار بالا است? این تجمع در قسمت فلزی فلنج نیز مشاهده می گردد. مقدار قرار دادن عایق های چند گانه بین الکترودها ی...