اخیراً ساختار الکترونیکی تغییر شکل یافته¬ی شبکه¬ی لانه زنبوری گرافین و بررسی نظری گرافین تحت کشش خیلی مورد توجه قرار گرفته است که به نتایج جالبی می¬انجامد که این نتایج می¬تواند برای بررسی پدیده¬های مربوط به سیستم¬هایی با ساختار گرافین به کار رود با اعمال کشش به صفحه گرافین حامل¬های بار در آن به صورت فرمیون¬های دیراک بدون جرم نامتقارن ظاهر می¬شوند این باعث تغییراتی در سرعت فرمی، تونل¬زنی کلین و ر...

فرضیه: هدف از این پژوهش بررسی اثر بار خمشی بر رسانندگی الکتریکی کامپوزیت‌های کربن-اپوکسی دارای انواع نانوذرات مختلف بود. نمونه‌های توسعه‌یافته باید ضمن داشتن استحکام خمشی کافی، رسانندگی الکتریکی پیشنهادشده در استاندارد مؤسسه انرژی آمریکا را داشته باشند تا در ساخت الکترودها استفاده شوند.روش‌ها: بدین منظور، از نانو‌ذرات دوده، نانولوله‌های کربن و گرافیت انبساط‌‌یافته همراه با الیاف کربن و رزین اپو...

در این پژوهش با استفاده از روش تابع گرین به بررسی جریان با قطبش اسپینی در نقاط کوانتومی 24 و 54 اتمی فسفرینی شش‌گوشی با لبه‌ی زیگزاگ پرداخته‌ایم. با این فرض که تمام الکترون‌های ورودی به ساختار نقطه‌ی کوانتومی فسفرین دارای اسپین بالا باشند، با انتخاب مناسب میدان الکتریکی که از خارج توسط یک ولتاژ گیت کنترل می‌شود، می‌توان یک جریان خروجی با قطبش اسپینی دلخواه داشت به‌ویژه شرایطی وجود دارد که می‌تو...

ما مشخصات ترمودینامیکی و ترابرد یک دستگاه نانومقیاس ابررسانا - فرومغناطیس - ابررسانا را در حد پخشی و با پایانه های ابرسانای یکتایی برای لایه فرومغناطیس با مغناطش نایکنوا، به طور عددی بررسی می کنیم. به گونه ای ویژه، ما توجه خود را روی فرومغناطیس با ساختار حوزه ای (بلاخ و نییل) و مخروطی، متمرکز می کنیم. همچنین فصل مشترک های ابررسانا - فرومغناطیس را فصل مشترک فعال اسپینی در نظر خواهیم گرفت. ما چگو...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

گرافین دولایه هم مانند تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است، اما مطالعات توری و تجربی اخیر نشان داده اند که می توان گاف نواری قابل توجهی را با کاهش دادن تقارن سیستم با استفاده از یک میدان الکتریکی عمود بر لایه ها به وجود آورد. بنابراین ماده ای با گاف نواری قابل کنترل داریم که استفاده از آن در وسایل الکترونیکی و اپتوالکترونیکی که وجود یک گاف نیمرسانایی لازم است، را ممکن می سازد. به خصوص گافی به اند...

در این پایان نامه، خصوصیات ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب cdcl2 در فاز رومبوهدرال مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw)، در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی با تقریب های مختلف و نرم افزار wien2k صورت گرفته است. ثابت های شبکه که در محاسبات به کار رفته اند برابر با 23/6b=c= = aو می باشند. خصوصیات ساختاری ترکیب cdcl2 از جمله ث...

در این مقاله، ترابرد ذرات مانند فرمیون های دیراک روی سطح یک عایق توپولوژیک در عبور از میدان الکتریکی خارجی و میدان مغناطیسی ناشی از حضور یک لایه فرومغناطیس بررسی شده است. در ابتدا مروری بر ویژگی های عایق توپولوژیک داشته و سپس با استفاده از معادلات دیراک هامیلتونی الکترون‌های عبوری از روی سطح را می‌نویسیم. با استفاده از تبدیلات لورنتس هامیلتونی مورد نظر را حل کرده و ویژه انرژی ها یا ویژه مقادیر ...

در این مقاله، چگالی حالت‌ها و رسانندگی الکتریکی نانولوله‌های کربنی و نیترید بور آرمچیر با قطرهای مختلف با استفاده از تقریب تنگ‌بست، رهیافت تابع گرین و رابطۀ رسانندگی کوبو محاسبه می‌شود و نتایج حاصل با چگالی‌حالت‌ها و رسانندگی الکتریکی یک صفحۀ گرافین و نیترید بور مقایسه می‌شود. نتایج نشان می‌دهد که نانولوله‌های کربنی آرمچیر برخلاف صفحۀ گرافین که نیم‌فلز است، همگی رسانا هستند در حالی که نانولوله‌...

گرافین کامل و دست‌ نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان‌ یافته با هیدروژن در غیاب نقص‌های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی‌جای‌ها، خواص مغناطیسی را به‌شدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل‌ توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی‌جای‌ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانون...