در این رساله پس از مقدمه ای مربوط به مواد مغنا طیسی به بررسی مدل آیزینگ توسط روش مونت کارلو پرداخته شده است. روابطی مانند پذیرفتاری مغناطیسی و ظرفیت گرمایی مورد بررسی قرار می گیرد و نمودار مغناطش بر حسب دما و میدان و همچنین حلقه پسماند را محاسبه میکنیم. در ادامه به خاصیت سوپر پارامغناطیس در مواد dms(diluet magnetic semiconductors) میپردازیم که با روش تجربی و بدست آوردن نمودار های ذکر شده نشان م...

بعد از کشف نانولوله های کربنی، توجه زیادی به سمت تحقیق در مورد ساخت و مشخصه یابی نانوساختارهای یک بعدی از مواد دیگر به خصوص zno و دیگر نیمه رساناهای با گاف انرژی پهن جلب شده است. در سالهای اخیر تحقیقات درباره ی نیمه رساناهای با گاف انرژی پهن گسترش قابل ملاحظه ای، به خاطر کاربردهای وسیع آنها در اپتوالکترونیک و انرژی خورشیدی، پیدا کرده است. البته نانوساختارهای یک بعدی مثل نانوسیم ها به جهت هدایت ...

در سال‌های اخیر سلول‌های خورشیدی حساس‌شده به مواد رنگزا به دلیل قیمت ارزان و دردسترس بودن برای تبدیل انرژی خورشیدی به انرژی الکتریکی مورد توجه قرار گرفته‌اند. سلول‌های خورشیدی حساس‌شده به مواد رنگزا دارای بخش‌های مختلفی بوده که یکی از اجزاء اصلی این افزاره‌ها، الکترولیت‌ها هستند. الکترولیت نقش تولید الکترون-حفره برای بازگشت ماده رنگزا به حالت پایه را دارد. یک طبقه مهم از الکترولیت‌ها، الکترولیت...

در فصل اول مختصری از ضرورت و اهمیت مطالعه سلولهای خورشیدی و اساس کار سلولها و انواع مختلف سلولها نوشته شده است . در فصل دوم ویژگیهای کلی نیمه رسانا، ذاتی یا غیرذاتی بودن نیمه رسانا، گاف نواری سیلیسیوم و تغییرات آن با دما، ساختار بلوری و نوارهای انرژی سیلیسیوم، آلایش ساختار بلوری و ناخالصی ها، ترابر حاملها و معادلات حاکم بر جریان ناشی از حاملهای باری مورد مطالعه قرار گرفته است . در فصل سوم، اندر...

چکیده کاربرد نظریه k.p در بررسی حالات الکترونیکی نانو ساختارهای نیم¬رسانا اسماعیل مهدیزاده سروستانی بیشتر خواص اپتوالکترونیکی مواد نیم¬رسانا از قبیل جرم موثر الکترون و حفره، چگالی حالات نوار رسانش و ظرفیت و شکاف نواری در نظریه نواری جامدات نهفته شده است. بنابراین محاسبه ساختار نواری نیم¬رساناها در فیزیک حالت جامد از اهمیت زیادی برخوردار است و در نتیجه نقش اساسی در پیشرفت ساخت ادوات الکترونیک...

امروزه، به طور گسترده برای محافظت مدارهای الکترونیکی، میکرو الکترونیکی و تجهیزات الکتریکی از مقاومت¬های غیر¬خطی بر پایه مواد کامپوزیتی استفاده می¬شود. نیم¬رساناهای کامپوزیتی خواص و کاربردهای گسترده¬ای از خود نشان می¬دهند. در بین تحقیقات گسترده صورت گرفته روی نیم¬رساناهای کامپوزیتی، سرامیک¬هایی تهیه شده بر پایه اکسیدروی وجود دارند. با تبدیل میکروالکترونیک¬ به نانوالکترونیک¬، نیاز به محدود کننده¬...

ترابرد بار و بی نظمی در نیم رساناهای آلی نقش مهمی در کارایی و بازده قطعات الکترونیکی دارند. در این رساله ما از سه منظر ترابرد بار در نیم رساناهای آلی را مورد مطالعه و بررسی قرار داده ایم. اول: ما تاثیر دما را برروی ترابرد بار و تولید بار و دینامیک بازترکیب در سلول های خورشیدی با توده ناهمگون که براساس p3ht و pcbm می باشند را مورد مطالعه قرار داده ایم. با حل معادلات سوق و پخش و همچنین معادله پو...

لایه های نازک و قطعات ساندویچی تک لایه و پیوند ناهمگن نانوذرات دو نیمه رسانای پالادیوم فتالوسیانین ..و کلر آلومینیوم فتالوسیانین ..به تبخیر گرمایی آماده شدند. پس از تمیز کردن بستر پلی بروسیلیکات ابتدا لایه ای از طلا ( به عنوان الکترود ) به روش تبخیر گرمایی در محفظه ای با فشار 10-5 mbar روی آن نشانده شد. سپس نیمه رساناهای pdpcو ciaipc به ترتیب با ضخامت 10 و 200nm و آهنگ تبخیر 1.0 nm/sec به نشانی...