اثر اسپینی هال (she) نامی است که به مجموعه ای از پدیده هایی گفته می شود که دو خصوصیت اساسی و مهم دارند: (1) جریان الکتریکی طولی در نمونه ای از نیمه رسانای پارامغناطیسی یا فلزی منجر به جریان اسپینی عرضی و انباشتگی اسپینی در لبه های عرضی می شود؛ (2) she نیازی به اعمال میدان مغناطیسی خارجی و یا نظم مغناطیسی نمونه در حالت تعادل ندارد. در عوض متکی بر حضور جفت شدگی های اسپین- مدار (so) در نمونه می با...

از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار راشبا در سال 1990، تاکنون تلاش های زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماد? نیم رسانا صورت گرفته است که منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالع? خواص ترابرد بار و اسپین در حضور برهم کنش اسپین-مدار از اهمیت بنیادی و کاربردی زیادی برخوردار است. در این پایان نامه ض...

در این مقاله، یک حلقه‌ی کوانتومی را در نظر گرفته و سپس ترازهای انرژی آن تحت تأثیر میدان‌های‌ الکتریکی و مغناطیسی خارجی و در حضور برهم‌کنش اسپین مدار راشبا و درسل هاوس مورد بررسی قرار می‌گیرد. بدین منظور، ابتدا هامیلتونی سیستم را در حضور جفت شدگی اسپین مدار و در حضور میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی خارجی نوشته و سپس با استفاده از روش قطری‌سازی، ویژه مقدارهای انرژی سیستم را محاسبه کرده و تاثیر میدا...

در این پایان نامه انتقال الکترونی و انتقال اسپینی در ترکیبات مختلف نقاط کوانتومی بررسی می شود. نشان داده می شود که اثرات تشدید و ضد تشدید در نمودارهای جریان-ولتاژ به علت وجود نقاط جانبی رخ می دهد.این نتیجه حاصل می شود که می توان با تنظیم فاکتورهای فاز برهم کنش راشبا و شار مغناطیسی خارجی به قطبیدگی صددرصد دست یافت.

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

هدف این رساله مطالعه ی پدیده ی چگالش بوز-انیشتین در اتم های فراسرد در حضور میدان های پیمانه ای مصنوعی است. در قسمت اول‏، گازی از اتم های بوزونی بدون برهم کنش را در تله ی حقلوی شبه دوبعدی در نظر گرفته و با استفاده از رهیافت نیمه کلاسیکی به تحقیق امکان چگالش در آن پرداخته ایم. سپس جفت شدگی اسپین-مدار راشبا و درسل هاس با سهم های مساوی و نیز میدان زیمان خارجی را به عنوان میدان های پیمانه ای مصنوعی ...

ما در این پایان نامه پذیرفتاری گرافن تک لایه را محاسبه خواهیم کرد. به این صورت که ابتدا هامیلتونی گرافن تک لایه را با استفاده از روش بستگی قوی در فرم کوانتش دوم و با در نظر گرفتن ترم راشبا (یعنی با وجود اثرات اسپین-مدار القایی) محاسبه خواهیم کرد و با محاسبه ویژه حالتها و وارد کردن بر همکنش الکترون- فوتون (وجود یک میدان الکترومغناطیسی خارجی) و اضافه کردن ترم زیمن پذیرفتاری گرافن تک لایه را بدست ...

در این پایان نامه با در نظر گرفتن اثرات زیر لایه بر روی گرافین واحتساب ترم راشبا و با معرفی معادله نیمه کلاسیکی در دو بعد ویژه حالات و باندهای جدید اسپینی سیستم به دست آمده و اثر ناخالصی ها و پتانسیلهای خارجی بر روی ترابرد اسپینی با محاسبه جریان اسپینی و انباشت اسپینی محاسبه خواهد شد. همچنین اثر ناخالصی ها در مقاومت مغناطیسی نیز محسوب خواهد شد

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

در این پایان¬نامه ما با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی i-v و مشخصات اسپینترونیکی یک حلقه¬ی کوانتومی گرافینی کنار¬جفت را مورد محاسبه قرار داده¬ایم. محاسبات ما در رژیم همدوس انجام گرفته و جریان الکتریکی و اسپینی و همچنین نوسانات جریان سیستم بر حسب پارامتر¬های ولتاژ و قدرت راشبا مورد محاسبه قرار گرفته است. و اثرات مهمی از جمله اثر آهارانوف¬کشیر و اثر آهارانوف¬بوهم در سیستم¬های مورد نظر دیده ش...