دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

شایع ترین عامل به وجود آورنده جریان غیر ماندگار، باز و بسته کردن شیر­های قطع و وصل جریان است. این عمل باعث انتشار امواج فشاری در سیستم می­شود. شدت امواج فشاری به عواملی از قبیل نوع شیر، سرعت باز و بسته شدن شیر، هیدرولیک سیستم و خواص الاستیکی لوله­ها بستگی دارد. یکی از مکان­هایی که محاسبه ضربه قوچ در آن دارای اهمیت می­باشد، سیستم انتقال آب نیروگاه­های برقابی است. اگر در زمان بهره­برداری از نیروگ...

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

امروزه پیشرفت های صورت گرفته در شبکه های مخابراتی موجب افزایش سرعت انتقال داده ها شده است، به همین منظور تکنولوژی بدون مجوز uwb با قابلیت انتقال داده mbps500 و پهنای باند ghz5/7 ( ghz10/6 – ghz3/1)، بیش از پیش مورد توجه قرار گرفته است. مخلوط کننده مبدل کاهش فرکانسی یکی از مهمترین اجزای گیرنده های rf محسوب می شود، که برای تبدیل فرکانس rf به فرکانس میانی if استفاده می شود. مخلوط کننده مناسب برای ...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

     شایع‌ترین عامل به وجود آورنده جریان غیر ماندگار، باز و بسته کردن شیر­های قطع و وصل جریان است. این عمل باعث انتشار امواج فشاری در سیستم می­شود. شدت امواج فشاری به عواملی از قبیل نوع شیر، سرعت باز و بسته شدن شیر، هیدرولیک سیستم و خواص الاستیکی لوله­ها بستگی دارد. یکی از مکان­هایی که محاسبه ضربه قوچ در آن دارای اهمیت می­باشد، سیستم انتقال آب نیروگاه­های برقابی است. اگر در زمان بهره­برداری از ...