در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...

در این مقاله ما به بررسی خودکانونی شدن یک پالس لیزری با نمایه شدت گاؤسی در پلاسمای غیر مغناطیده خواهیم پرداخت. چگالی پلاسما در اثر اعمال میدان­های الکترومغناطیسی قوی دچار تحول می­شود که در شرایط خاص این تحول منجر به شتاب گیری الکترون­ها به انرژی و سرعت بالا می­گردد. لذا معادله تحول چگالی پلاسما را با درنظر گرفتن نیروی اثرگذار الکترون ها محاسبه کرده­ایم. با توجه به تصحیح نسبیتی جرم الکترون های پ...

در فصل اول به ویژگیهای آزمایشهای e+e- می پردازیم. در ابتدا ضمن بیان مزایا و محدودیتهای این آزمایشها، فرایندهای محتمل گوناگونی را که می توانند در خلال هر برخورد e+e- روی دهند، به سه دسته تقسیم می کنیم. این سه دسته بر حسب فرایندهای دخیل در برهم کنش عبارتند از: برهم کنشهای الکترومغناطیسی، برهم کنشهای قوی و برهم کنشهای ضعیف . موضوع اصلی بحث ما در این رساله، بررسی برهم کنشهای قوی در آزمایشهای e+e- م...

در این مقاله اهمیت خوشه ‎ ساز در شتابدهنده ‎ های خطی الکترون مورد بحث قرار گرفته و دو نوع خوشه ‎ ساز مدولاسیون سرعت و خوشه‎ساز بارگذاری شده با صفحه، معرفی شده ‎ اند. بالاتر بودن ضریب خوشه ‎ سازی، بزرگتر بودن گستره فاز اولیه وکوچکتر بودن گستره فاز نهایی، موارد مطلوب در خوشه ‎ ساز بارگذاری شده با صفحه هستند. بررسی ‎ های انجام شده نشان می ‎ دهند که تغییرات مناسب شدت میدان و سرعت فاز، دست ‎ یابی به...

در پژوهش حاضر شبیه سازی مونت کارلو با کد corsika برای تابش بهمن های گسترده هوایی با اولیه های پروتون، هلیوم، اکسیژن، سدیم، سیلیسیوم، و کلسیوم در انرژی های اولیه 10 14 و 10 15 الکترون ولت برای بررسی وابستگی چگالی انرژی الکترون و میون به فاصله از مرکز بهمن و جرم ذره اولیه انجام شد. نتایج پژوهش حاکی از آن است که چگالی انرژی الکترون و میون تابعی است از فاصله از مرکز بهمن و نیز پارامتری است حساس به ...

در این پژوهش، امکان کاهش جرم سازه یک میکروماهواره مکعبی دو طبقه با سازه قاب و پوسته بررسی شده است. با جایگزینی سازه ایزوگرید با ساندویچی، فرکانس طبیعی و توزیع جرم موثر مودهای سازه تغییر می یابد. جرم موثر مودال، یک خصوصیت دینامیک سازه و وابسته به فرکانس طبیعی، شکل مودها، جرم های عام و بردارهای ویژه است. جرم موثر مودال کمیتی است که میزان اهمیت یک مود ارتعاشی را هنگامی که سازه ماهواره تحت تاثیر شت...

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

در این پایان نامه، مسیر الکتورن در لیزر الکترون - آزاد با ویگلر تخت، کانال - یونی راهنما و میدان مغناطیسی محور در حالت شبه پایا مورد بررسی قرار گرفته است. یک معادله درجه ده برای میانگین سرعت محوری الکترون و تابع ‏‎‎‏ که نشان دهنده نرخ تغییر سرعت محوری بر حسب انرژی الکترون است، استخراج گردیده است. با استفاده از محاسبات عددی، اثرات دو ابزار راهنما، کانال - یونی و میدان مغناطیسی محوری، به صورت همز...

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

در این مقاله با اعمال فرمولبندی سه جسمی با شرایط مرزی تصحیح شده در تقریب مرتبه اول بورن و استفاده از روش مدل الکترون فعال، دامنه الکترونی مرتبه اول و دامنه بین هسته ای مرتبه اول محاسبه شده است. با استفاده از دامنه های جزیی، سطح مقطع پراکندگی جزیی و کل، برای تشکیل پوزیترونیوم در برخورد پوزیترون با مولکول متان در انرژی های میانه، بالا و غیرنسبیتی محاسبه شده ، سطح مقطع کل با نتایج تجربی موجود مقای...