در این رساله دینامیک درهم تنیدگی اتم-فوتون و فوتون-فوتون در یک نانوکاواک دومدی پرشده با یک ماده دی الکتریک غیرخطی مرکزتقارنی بررسی می گردد. در این مطالعه پذیرفتاری مرتبه اول و سوم برای ماده دی الکتریک در نظر گرفته می شود که به ترتیب موجب جفتیدگی خطی و کر شکل بین دو مد فوتونی می شود. در قسمت اول این رساله، در هم تنیدگی اتم-فوتون، از تاثیر این ماده دی الکتریک بر برهم کنش اتم-فوتون صرف نظر شده است...

باتوجه به ماهیت فرایند فوتو ولتائیک در سلول های خورشیدی، مواد جاذب نور تنها سطح انرژی خاصی از فوتون را جذب می کنند. بنابراین، تنظیم شکاف انرژی نیم رساناها در سلول های خورشیدی حائز اهمیت است. در این مقاله ساختار و ویژگی های الکترونیکی نقطه ی کوانتومی تیتانیم دی اکسید به عنوان تابعی از اندازه برای بهبود بازده سلول های خورشیدی با استفاده از روش آغازی بررسی شده است و از سوی دیگر ویژگی های ساختاری ا...

در این پایان نامه، به معرفی طرحواره هایی برای کنترل همدوس ترابرد تک فوتون و ذخیره سازی آن با استفاده از اتم های پراکننده ی دوترازی و سه ترازی کنترل پذیر در یک موجبر بازآواگر جفت شده می پردازیم. بدین منظور، ابتدا موجبر بازآواگر جفت شده را به عنوان یک ساختار دوره ای برای انتشار فوتون، در چارچوب معادلات ماکسول و الگوی بستگی قوی توصیف می کنیم و برخی کاربردها و روش های تحقق تجربی آن را به اختصار شرح...

در این تحقیق اثر سه شدت نور 5/37، 5/62 و 100 میکرومول فوتون بر مترمربع در ثانیه و دوره های روشنایی: تاریکی 16:8، 12:12 و 8:16 ساعت بر نرخ رشد، زمان دو برابر شدن و تولید زیتوده میکروجلبک chlorella vulgaris مورد بررسی قرار گرفت. استوک اولیه c. vulgaris از تالاب انزلی جداسازی و خالص گردید و در ارلن های 1000 میلی لیتر در دمای ثابت 5/0±25 درجه سانتیگراد و با استفاده از محیط (z-8+n) کشت شد. شمارش سلو...

در این تحقیق اثر سه شدت نور 5/37، 5/62 و 100 میکرومول فوتون بر مترمربع در ثانیه و دوره های روشنایی: تاریکی 16:8، 12:12 و 8:16 ساعت بر نرخ رشد، زمان دو برابر شدن و تولید زیتوده میکروجلبک Chlorella vulgaris مورد بررسی قرار گرفت. استوک اولیه C. vulgaris از تالاب انزلی جداسازی و خالص گردید و در ارلن های 1000 میلی لیتر در دمای ثابت 5/0±25 درجه سانتیگراد و با استفاده از محیط (Z-8+N) کشت شد. شمارش سلو...

عبارتی تحلیلی برای قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی خطی نانولوله های کربنی تک دیواره ی زیگزیگ برحسب تابعی از انرژی بدون بعد فوتون بدست آورده شده است.محاسبات عددی نشان می دهد که شدت و موقعیت پیک های پذیرفتاری اپتیکی وابسته به ثابت پهن شدگی و تکانه ی زاویه ای در امتداد جهت سمتی است. کاهش ثابت پهن شدگی منجر به افزایش موقعیت پیک های تشدید در قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی می شودو با افزای...

زمینه و هدف: در برهمکنش­های فوتون با ماده، افزایش عدد اتمی ماده هدف و کاهش انرژی فوتون تابشی جذب فوتوالکتریک را در آن ماده افزایش می­دهد. در مطالعة حاضر فاکتور افزایش دوز (Dose Enhancmenet Factor) تومور پر شده با نانوذرات (Nano Particles) برای براکی­تراپی با چشمه ایریدیم- 192 مطالعه شد. روش بررسی: محاسبات مونت­کارلو برای تعیین افزایش دوز ناشی از چشمه ایری...

چگالش بوز- اینشتین (bec)، تجمع ماکروسکوپی ذرات اسپین درست (بوزون ها) در حالت پایه انرژی زیر دمای بحرانی است، که در چندین دستگاه فیزیکی از جمله گازهای اتمی فوق سرد رقیق مثل سدیم و شبه ذرات حالت جامد مشاهده شده است. تابش جسم سیاه (تابشی که در ترازمندی گرمایی با دیواره های کاواک است) یک گاز بوزونی است که این گذار فاز را نشان نمی دهد. زیرا در این دستگاه، فوتون ها دارای پتانسیل شیمیایی ناچیزی هستند،...

از آن جایی که فرآیند دیدن با تحریک گیرنده های فوتونی در شبکیه توسط نور آغاز می شود‏‏، انرژی فوتونی که به چشم برخورد می کند‏ باید به اندازه ی کافی زیاد باشد‏‏، در صورت کافی نبودن آن‏، به انرژی گرمایی هم نیاز خواهد بود. دو نوع گیرنده ی فوتونی در شبکیه وجود دارند که هر کدام به طول موج خاصی از نور حساس می باشند‏. با استفاده از روابط تئوری و تجربی که ارائه شده است‏، به بررسی حساسیت این گیرنده های فو...

اتاقکهای یونش وسایل عملی و استاندارد برای دزیمتری باریکه های فوتون و الکترون