در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این رساله، هدف بررسی خواص جذب و پاشندگی میدان کاوشگر ضعیف در یک سیستم کوانتومی پنج ترازه آبشاری با اثر تشدیدی تاریک است. بنابراین در ابتدا سیستم اتمی پنج ترازه را در حضور یک میدان محرک همدوس و یک میدان غیر همدوس و دو میدان اختلالی در نظر می گیریم و نشان می دهیم که انتشار نور کند سرعت و نور تند سرعت در محیط های شفاف و جاذب اتفاق می افتد.دو میدان اختلالی در این سیستم، در غیاب میدان غیر همدوس د...

در این مقاله چگالی اتم های مس که به عنوان هدف انتخاب شده است با روش طیف نگاری جذبی تشدیدی برای فشارهای مختلف گاز کاری و توان های مختلف منبع تغذیه سیستم پلاسما اندازه گیری شده است. به عنوان منبع نور برای طیف نگاری جذبی تشدیدی از یک لامپ کاتد توخالی مس (cu hollow cathode lamp) استفاده شده است. ضمنا با اضافه کردن درصد مناسبی از نیتروژن به گاز کاری آرگون با استفاده از طیف دورانی مولکول نیتروژن و با...

زمینه و هدف: اثر میدان های مغناطیسی ضعیف با فرکانس بسیار کم (elf-mfs) بر روی سیگنال های مغزی، توسط تعدادی از محققین مورد بررسی قرار گرفته است. تنها برخی از محققین اثر تشدیدی، یعنی افزایش در فرکانس سیگنال مغزی مطابق با فرکانس میدان تابیده شده را گزارش کرده اند. در اغلب این تحقیقات میدان مغناطیسی تولیدشده به صورت یکنواخت تمام نواحی سر را در برمی گیرد. مطالعه حاضر با هدف بررسی اثر تابش موضعی elf-m...

پلاسمون ها دارای مدهای تشدیدی هستند که به شکل و اندازه نانوذرات بستگی دارند. رفتار تشدیدی پلاسمون ها بدلیل محبوس بودن الکترون های رسانش در داخل نانوذرات فلزی است و در اثر این محدودشدگی، یک جابجایی الکترومغناطیسی القایی می تواند پولاریزاسیون سطحی ایجاد کند. بدلیل قطبش پذیری قوی نانوذرات در حالت تشدید پلاسمونی، انرژی موج الکترومغناطیسی فرودی جذب پلاسمون شده و باعث افزایش میدان موضعی در حجم نانوذر...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...

برهم کنش امواج الکترومغناطیسی با نانو‏ذرات از اهمیت ویژه ای برخوردار است زیرا مطالعه و‏ آنالیز خواص نوری نانو‎ذ‎ره همچون جذب و پراکندگی و ضریب خاموشی به پارامترهای مختلفی همچون هندسه نانوذره، نوع نانوذره و محیط اطراف آن بستگی دارد. از طرفی مطالعه خواص نوری غیرخطی آنها برای بررسی تولید هارمونیک مرتبه دوم از اهمیت خاصی در صنعت و پزشکی برخوردار است. ‏در این کار ‏پژوهشی‏، خواص نوری خطی و غیرخطی نا...