تکنولوژی مخابرات پیشرفت عمده ای به جلو داشته است. رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و حتی افزایش نیاز و تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا ضرورت گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی مخابرات را ایجاد می نماید. یکی از اجزای غیرقابل تعویض هر گیرنده فرکانس بالا، تقویت کننده جلویی کم نویز آن می باشد. به عنوان اولین بلوک ساخته شده در جلوی گیرنده، تقویت کننده کم نویز باید ماکزیمم بهره را ت...

در این پایان نامه به آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با بهره ی بالا و توان مصرفی کم در باند فرکانسی ghz10-3 با استفاده از تکنولوژی?m-tsmc rf cmos 0.18پرداخته شده است. هسته اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکود است که برای تطبیق امپدانس ورودی از فیلتر چپیشف استفاده شده است. از بین توپولوژی های مختلف تقویت کننده کم نویز، ساختار سورس مشترک استفاده شده که دارای عملکرد نویزی منا...

سیستم های بی سیم با سرعت شگفت آوری مسیرتوسعه خود را به سمت دستگاه هایی با پهنای باند بالاتر، مصرف توان کمتر و از لحاظ ساخت مقرون به صرفه تر می پیمایند.سیستم های ارتباط بی سیم فراپهن باند یکی از موارد پژوهشی مهم در حوزه های علمی و صنعتی هستند. با استفاده از سیستم های مذکور می توان در ارتباطات بی سیم به پهنای باند و سرعتی حتی فراتر از ارتباطات سیمی و کابلی دست یافت. ساختار و طراحی مدار سیستم های ...

مدارهای مجتمع فرکانس بالا برای همه وسایل الکترونیکی قابل حمل که در ارتباطات بی سیم استفاده می شوند، لازم هستند. مدارات فرکانس بالای اولیه با استفاده از تکنولوژی های sige یا gaas ، به دلیل خواص فرکانس بالای فوق العاده آنها،پیاده سازی می شدند.اخیرا، سایز ترانزیستور mos در تکنولوژی cmos به طور مداوم در حال کم شدن بوده است تا خواص فرکانس بالای آن را بهبود دهد؛ که باعث شده پروسه های cmos برای استفاد...

در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز در باند فرکانسی 22–29 ghz برای کاربردهای رادار خودرو ارائه می گردد. برای رسیدن به بهره توان کافی به همراه پایداری و ایزولاسیون معکوس مناسب، از دو طبقه ساختار آبشاری استفاده شده است. برای ایجاد تطبیق امپدانس پهن باند، از یک فیلتر نردبانی میان گذر در ورودی و دو شبکه تطبیق l در خروجی استفاده می شود. تطبیق امپدانس بین دو طبقه با استفاده از ترکیب شبکه های pea...

در این پروژه یک تقویت کننده کم نویز با ساختار بدون سلف در تکنولوژی 130 نانو ( 0.13 µm ) با پهنای باند 3.5 گیگا هرتز با ولتاژ تغذیه 1.8 ولت طراحی و شبیه سازی شده است که بهره توان آن 27 دسی بل ، تلفات ورودی کمتر از 12- دسی بل ، عدد نویز بسیار مطلوب 2.8 دسی بل ، خطینگیdbm 6.1 و ضریب پایداری بسیار خوب بیش از 110 میباشد.

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

یک تقویت کننده کم نویز با قابلیت کار در استانداردهای مختلف در طیف های فرکانسی 5/1 تا 5/2 گیگا هرتز و 3 تا 4/5 گیگا هرتز به صورت تغییر شکل پذیر با استفاده از سوییچ های ترانزیستوری طراحی و شبیه سازی گردید.اساس طرح تقویت کننده براساس مدار حذف نویز می باشد. اساس طراحی مدارات حذف نویز، بر پایه حذف نویز قسمت تطبیق امپدانس مدار و مجزا کردن عدد نویز مدار از تطبیق امپدانس می باشد.

با توجه به اشغال شدن طیف های فرکانسی پایین? تنها انتخاب برای بسیاری از کاربردها استفاده از امواج فرکانس بالا است. بلوتوث یک فناوری پیچیده و پرکاربرد است. به نوعی می توان گفت که هر وسیله ی الکترونیکی، که درآن ردپایی از انتقال اطلاعات دیده می شود، می تواند به این فناوری مجهز شود. بلوتوث از این لحاظ خوب است که نیاز به کابل وسیم را بر طرف نموده و به جای آن از موج رادیویی استفاده می کند. بدلیل اینکه...

چکیده در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز در گستره ی فرکانسی 12 تا 18 گیگاهرتز با استفاده از تکنولوژی سی ماسmµ 18/0طراحی و در نرم افزار ads شده است. تقویت کننده ی ارائه شده از ساختار استفاده مجدد از جریان پیروی می کند، تا مصرف توان حداقل شود. هم چنین اثر چگالی جریان بر روی نویز و فرکانس قطع ترانزیستور بررسی شده است و سعی شده تا چگالی جریان بهینه برای طراحی تقویت کننده کم نویز انتخاب شود. ...