گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

مطالعات نشان می دهند که حذف بی در روی پلاریزاسیون در معادلات دینامیکی میکرو مشددها باعث بوجود آمدن پدیده های غیرفیزیکی غیرقابل توجیه و ناپایداری سیستم می شود. برای غلبه بر این ناپایداریها وابستگی قطبش به کمیت هایی همچون چگالی حاملین و میدان الکتریکی مورد مطالعه و معادله مربوط به قطبش به معادلات دینامیکی میدان و حاملین اضافه شد. در معادلات مربوطه جهت واقعی تر کردن مدل برازش مرتبه ی دوم منحنی بهر...

محققین، ادوات اسپینی را جهت بهبود عملکرد ادوات الکتریکی پیشنهاد داده اند. ادوات اسپینی مهمترین نقش خود را در ساخت ترانزیستورها ی اسپینی ایفا کرده اند. همانطور که در این پایان نامه نیز به آن خواهیم پرداخت، ترانزیستورهای اسپینی بر روی صفحه ی گرافینی با برخورداری از قابلیت گرافن جهت رفع چالش های ترانزیستورهای فعلی ارایه شده اند. که سرعت این ترانزیستورها به علت بالا بودن سرعت حرکت الکترونها در سطح ...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

واژه ((تخلص)) یکی از واژگانی است که در ادب فارسی به معانی مختلفی به کار می رود. در این مقاله کاربرد آن در معنی اسم ‘ یعنی : نام شعری شاعر:مورد توجه می باشد . مولوی واژه ((خاموش)) را به عنوان تخلص برگزیده است و به دو صورت ((خامش و خمش )) نیز به کار برده است . اما از آثار او به ویژه غزلیات شمی برمی آید که برخلاف حافظ و سعدی که در بیت های پایانی تمامی و یا اکثر غزلها تخلص آورده اند ‘ ایشان در بس...

چکیده چرکس ها یکی از اقوام ساکن شمال غرب قفقاز هستند که به زبان چرکسی از شاخه زبان های شمال باختری قفقازی (ایبری- قفقازی) سخن می گویند. این قوم از تبار قفقازی آدیغه ای- آبخازی ست که هم اکنون در سه جمهوری قفقاز شمالی یعنی جمهوری کاباردینو- بالکاریا (قبارطه- بلغار)، جمهوری کاراچای- چرکسیا (قره چای- چرکس) و جمهوری آدیغه پراکنده هستند. ناحی? چرکسستان که منظور جغرافیای تاریخی چرکس ها است، در تاریخ ...

سیستمهای حفاظتی، یکی از بخشهای مهم در طراحی یک سیستم ‏‎hvdc‎‏ می باشد که بایستی جهت تامین امنیت سیستم مورد توجه قرار گیرد. مبدلها و برجهای تریستوری بعنوان عناصر با اهمیت این مجموعه ، در مقابل پدیده های اضافه ولتاژ از حساسیت زیادی برخوردارند. در این راستا ، برقگیرهای اکسید روی ، بعنوان تجهیزات حفاظتی دفع کننده اضافه ولتاژها، جایگاه ویژه ای دارند.در این پایان نامه ، ابتدا برقگیرهای مناسب شبکه های...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...