نانو مواد چند بعدی شامل نقاط، سیم¬ها و چاه¬های کوانتومی می¬باشند.با کاهش ابعاد یک ماده در حد کمتر از 100 نانومتر، ساختارهای نانو مواد چند بعدی شکل می¬گیرد که تغییرات خواص آنها از فیزیک مکانیک کوانتومی نشات می¬گیرد. برای قابل استفاده ساختن، آنها با یکدیگر و یا با الکترودهایی که می¬توانند به آنها الکترون داده یا از آنها الکترون بگیرند، وصل شوند که در کار حاضر به آن پرداخته شده است. سازوکار فیزیکی...

چکیده ندارد.

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

لیزرهای نیم رسانا از مهمترین ابزارهای کلیدی در مخابرات نوری به شمار می روند. پیشرفت های روز افزون در زمینه تکنولوژی ساخت لیزرهای نیم رسانا به خصوص در طول موج 3/1و 55/1 میکرومتر موجب توجه بیشتر به تحقیقات در این زمینه شده است. که در این طول موج ها اتلاف و پراکندگی در فیبر نوری کمترین میزان خود را دارد. رایج ترین ترکیبات مورد استفاده جهت گسیل طول موج های فوق ترکیبات-?? فسفر دار می باشند که تحت عن...

نیم فلزات فرومغناطیس از موضوعات مورد توجه در علم اسپینترونیک هستند که با توجه به داشتن قطبش اسپینی 100? در سطح فرمی منابع مناسب و کارایی برای تزریق اسپین به نیم رساناها می باشند. این مواد همچنین می توانند کیفیت قطعات مبتنی بر آثار مغناطومقاومتی 1 را به میزان چشم گیری بهبود بخشند. یک دسته از این مواد ترکیبات دوتایی عناصر واسط با عناصر گروه های vو vi هستند که دمای کوری بالایی دارند یکی از این ترک...

در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله روی رفتار رسانندگی الکترونی بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی نانو لوله های نوعی مذکور نشان می دهد که نانو لوله با سا...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

نتایج نشان می دهدکه این دسته از ترکیبات همگی نیم رسانا هستند،که ترکیب bese نیم رسانای با گاف غیرمستقیمبا گاف نواریبرابرev)62/3= ) و گاف مستقیمبا گاف نواریبرابر ev)5= ) و برای بقیه ی ترکیبات سه تایی با مقادیر (75/0و5/0و25/0و0 =x) همگی نیم رسانای با گاف مستقیمبا گاف نواریبه ترتیب برابر ev(7/3و7/2و4/2و07/2) می باشند. افزودن بریلیم به ترکیب cdse با غلظت های مختلف xبا مقادیر (1و75/0و5/0و25/0و0 =x ) ...

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

به منظور به دست آوردن موادی با خاصیت ترموالکتریک بالاتر برای استفاده در ساخت وسایل خنک کننده و ترموکوپل، ضریب سیبک نمونه ها اندازه گیری شد که نتیجه به دست آمده نشان داد که نمونه با کمترین مقدار آنتیموان دارای بیشترین خاصیت ترموالکتریکی است