ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه‌ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید ارائه شده در بهبود اثرهای کانال کوتاه از قبیل جریان نشتی، نوسان های زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین پرداخته شده است.هم چنین یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی جدید به منظور کاهش اثرهای کانال کوتاه ارائه شده است.برای شبیه سازی این افزاره ی پیشنهادی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی، برای حل معاد...

ترانزیستور یکی از مهم ترین قطعات الکترونیکی است، که ساخت آن تحول عظیمی در فرآورده های الکترونیکی ایجاد کرد، قبل از اختراع ترانزیستور، از لامپ های خلاء بزرگ و پر مصرف استفاده می شد. ترانزیستور از ادوارات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلسییوم و ژرمانیوم ساخته می شود. ساخت ترانزیستورهای کوچک تر همواره از نیازهای انسان بوده است، چرا که سرعت پردازشگرها رابطه ی مستقیمی با تعداد ترانزیس...

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای pd soi در مقیاس 45 نانومتر ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ise-tcad نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مق...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

در این رساله یک نانوماسفت دو گیتی فوق العاده نازک با طول گیت کمتر از 9 nm و ضخامت کانال کمتر از 5 nm با استفاده از روشهای کاملا کوانتومی با الکتروستاتیک دو بعدی مورد بررسی قرار می دهیم. معادلات ترابرد بالستیکی دو بعدی با استفاده از رویکرد فضای مد به دو دسته معادلات یک بعدی تقسیم می شوند بطوریکه در راستای محبوس شدگی کوانتومی یعنی در راستای گیت معادله شرودینگر را برای بدست آوردن ویژه مقادیر زیرنو...

چکیده ندارد.

ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...

رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو تر...