این تحقیق به بررسی تاثیر میدان مغناطیسی بر فرآیند لیچینگ مس می پردازد. در این فرآیند، آزمایش های بطری غلطان، ظروف لرزان و ستون بر خاک اکسیدی انجام شد. پارامترهای شدت میدان ، مدت عبور محلول از میدان مغناطیسی، زمان ماند محلول، دما و دبی حجمی مطالعه شدند. در آزمایش بطری غلطان میزان مصرف اسید خاک اکسیدی با دانه بندی 5/0 اینچ، kg/ton 19/676 و برای خاک پولورایز شده، kg/ton47/890 برآورد شد. در آزمایش ...

هدف این پایان نامه، مطالعه ی خواص ساختارالکترونی مولکول سیلیکن شامل چگالی حالت ها، ساختار نواری و خواص اپتیکی شامل بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک در حالت قطبیده و غیرقطبیده است. این پژوهش برمبنای نظریه ی تابع چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته انجام گرفته و برای انجام محاسبات از کد siesta استفاده شده است. ابتدا خواص الکترونی مولکول سیلیکنsilicene در غیاب میدان الکتریکی خارجی محاس...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

در مقاله حاضر‏ ، فرآیند کشش ورق های فلزی در قالب گوه ای شکل، با ارائه میدان سرعت جدید، به روش کرانه بالایی تحلیل و به روش اجزا محدود (نرم افزار آباکوس) شبیه سازی شده است. از جمله موارد مهم در تحلیل کرانه بالایی فرآیندهای شکل دهی، انتخاب مرزهای مناسب ناحیه تغییر شکل و نیز ارائه میدان سرعت مُجازی است که علاوه بر برآورد نمودن شرط تراکم ناپذیری ماده و شرایط مرزی، مطابق با رفتار جریان فلز در ناحیه تغ...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

تغییر سطح فرمی در سطح کاتالیست بر فعالیت کاتالیستی اثر می‌گذارد. یک روش برای تغییر این سطح، استفاده از میدان الکتریکی خارجی در فرایند کاتالیستی هتروژن است. در این پژوهش HZSM-5 بارگذاری شده با اکسید فلز آهن در یک میدان الکتریکی خارجی با قدرت مناسب برای تجزیه و تحلیل فعالیت کاتالیزوری قرار داده شد. این پژوهش اولین گزارش ارائه شده برای اثر تشدید زئولیت و میدان الکتریکی خارجی برای تولید اولفین است ...

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

چکیده ندارد.