در این مقاله یک فیلتر Gm-C چند حالته (universal) مرتبه‌ی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخ‌های فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت Q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنی‌بر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (Sub Threshold) ارا...

با توجه به افزایش چشمگیر حجم داده‌های پردازشی و نیاز به سرعت بیشتر در پردازش آنها، به استفاده از روش‌های نوین در طراحی مدارهای دیجیتال توجه شده است. نظر به اهمیت مصرف توان در وسایل الکترونیکی، طراحی مدارهایی ضروری است که به کاهش مصرف توان، مساحت و نیز افزایش سرعت پردازنده‌ها منجر شود. استفاده از محاسبات تقریبی در کنار ترانزیستورهای نانولولۀ کربنی، یکی از روش‌های مطرح‌شده در این حوزه است. با توج...

در این مقاله یک فیلتر Gm-C چند حالته (universal) مرتبه‌ی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخ‌های فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت Q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنی‌بر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (Sub Threshold) ارا...

یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می‌باشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می‌باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می‌کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشرده‌ساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می‌شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...

نوسان سازها از جمله مهمترین اجزای تشکیل دهنده ی سیستم های مخابراتی می باشد. از آنجایی که نویز فاز یکی از پارامترهای مهم تعیین کننده ی کیفیت یک نوسان ساز می باشد، طراحی نوسان سازهایی با نویز فاز کمتر از اهداف مهم طراحان است. در میان اسیلاتورهای مختلف، نوسان سازهای cross-coupled lc بدلیل عملکرد نویز فاز بهتر، مصرف توان کمتر، ساختار تفاضلی و پیاده سازی آسان آن نسبت به سایر نوسان سازها نقش مهمی را ...

روند رو به پیشرفت تکنولوژی در کوچک سازی ترانزیستورها تا جایی ادامه پیدا نمود که نسل جدیدی از ترانزیستورها که به آنها ترانزیستورهای تک الکترونی گفته می شود پدید آمدند .نسل جدید ترانزیستورها همانند ترانزیستورهای قبلی از قوانین جاری فیزیک در جابجایی الکترونها پیروی نمی نمایند. ناگزیر به بررسی اجمالی چند نمونه از قطعات تک الکترونی و پس از آن به تجزیه و تحلیل ترانزیستور تک الکترونی پرداخته و سعی در...

در این پایان نامه به آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با بهره ی بالا و توان مصرفی کم در باند فرکانسی ghz10-3 با استفاده از تکنولوژی?m-tsmc rf cmos 0.18پرداخته شده است. هسته اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکود است که برای تطبیق امپدانس ورودی از فیلتر چپیشف استفاده شده است. از بین توپولوژی های مختلف تقویت کننده کم نویز، ساختار سورس مشترک استفاده شده که دارای عملکرد نویزی منا...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه ابتدا به مطالعه و بررسی نقاط کوانتومی در ساختارهای ناهمگون algaas/gaas می پردازیم . سپس با اعمال پتانسیل خارجی ، تحرک الکترونی و تراکم الکترونی را محاسبه کرده و با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان الکترونی در چاه پتانسیل را مشخص کرد . جریان را می توان با استفاده از حل خود سازگار معادله شرودینگر و پواسون جهت به دست آوردن تحرک الکترونی ، تراز فرمی چا...

چکیده ندارد.