پایان نامه به مطالعه خصوصیات ترابرد و ترموالکتریکی سیستم های تشکیل شده از نقطه های کوانتومی در رژیم انسداد کولنی اختصاص دارد. ترابرد بار و اسپین درون این سیستم ها هم با استفاده از فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی و هم بوسیله معادله نرخ بررسی می گردد. ما نشان می دهیم که نوع الکترودها می تواند روی خصوصیات ترابرد نقطه های کوانتومی تاثیر بگذارد. به عنوان مثال، یک نقطه ی کوانتومی جفت شده به دو الکترو...

چکیده از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهمکنش اسپین- مدار راشبا در سال 1990 تا کنون تلاش های زیادی برای تزریق و آَشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماده ی نیم رسانا منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالعه ی خواص ترابرد بار و اسپین حلقه های مزوسکوپی بالیستیک نظیر مقاومت مغناطیسی تونل زنی، تشدیدهای رسانندگی، جریان های پایدار بار و ا...

در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

ترابرد الکترون از طریق نقطه های کوانتومی در سال های اخیر به طور گسترده ای مطالعه شده است. اثرات بس ذره ای بدیعی همانند اثرات انسداد کولنی و اسپینی، اثر کندو، مقاومت دیفرانسیلی منفی و ... در مطالعه ی نظری و تجربی چنین ساختارهایی مشاهده شده است. در این پایان نامه، به بررسی ترابرد الکترونی از میان تک نقطه کوانتومی و جفت نقطه کوانتومی با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی کاهش یافته پرداخته می شود. اثر...

در دهه گذشته تحقیقات و توجهات زیادی روی مواد دو بعدی از قبیل گرافین, سیلیسین, mos2و ترکیبات مشابه و عایق های توپولوژیکی در فیزیک ماده چگال انجام شده است, به خاطر خواص جالب و منحصر به فردی است که از خود نشان می دهند. دی سولفید مولیبدن mos2 خواص منحصر به فردی را به عنوان یک نیمه رسانا داراست. mos2 عضوی از خانواده فلزات دی کالجوگناید به حساب می آید که یکی از معروفترین اعضای خانواده مواد لایه ای وا...

از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار راشبا در سال 1990، تاکنون تلاش های زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماد? نیم رسانا صورت گرفته است که منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالع? خواص ترابرد بار و اسپین در حضور برهم کنش اسپین-مدار از اهمیت بنیادی و کاربردی زیادی برخوردار است. در این پایان نامه ض...

چکیده ندارد.

کشش بازار از یکسو و فشار فناوری از سوی دیگر همواره باعث رشد و شکوفایی مستمر صنعت قطعه سازی در دنیا شده است. به منظور کاهش هزینه های ساخت و افزایش قابلیت های عملکردی، حداقل ابعاد قابل ایجاد بر روی ویفرهای نیمه هادی (به ویژه سیلیکون) باگذشت زمان کاهش یافته و امروزه به حد چند ده نانومتر رسیده است. برخلاف انتظارات اولیه ساخت قطعات سیلیکونی در ابعاد نانومتری از یکسو هزینه گزاف داشته و از سوی دیگر تو...

در این رساله رسانش الکترونی وابسته به اسپین در نانو ساختارهای پایه کربنی در چارچوب فرمولبندی ترابرد همدوس لاندائور و با استفاده از هامیلتونی بستگی قوی تک باندی و چند باندی، توابع گرین سطحی و ماتریس های انتقال بررسی و محاسبه می شود. ویژگی های مغناطیسی مورد بررسی، ناشی از خواص مغناطیسی تهی جای ها، اتمهای مغناطیسی ناخالصی و میدانهای خارجی است. بعلاوه خواص مغناطیسی نانو دیسک ها و نانو نوار های گراف...

از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در فناوری، صنایع حس گرها و ثبت کننده ها شده است. مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانوساختارها و چند لایه ها به ما در طر...