چکیده کشف گرافین و ویژگی‎های استثنائی ِ الکترونیکی و مغناطیسیِ آن توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده است.در این میان، مشتقات گرافینی از جمله نانوروبان‎های گرافینی و ریزساختارهای نانومتری آن برای استفاده در صنایع اسپبن‎الکترونی و نانوالکترونیکی مناسب هستند.مطالعات نظری نشان می‎دهند که مغناطش در این سیستم‎ها به دلایل مختلف مثل کاهش ابعاد یا در اثر بی‎نظمی و تهی‎جای‎ها ایجاد می‎شوند. با اس...

کربن در میان تمامی عناصر، به علت تشکیل پیوند های کوالانسی قوی با هیبریدهای مختلف در ساختار های مختلف، عنصری بی نظیر به شمار می آید. گرافین ماده ای دو بعدی است که از کربن ساخته شده است و به ضخامت یک اتم کربن می باشد. این ساختار در دگرشکل های دیگر کربن نیز تکرار شده است. دگرشکل های شناخته شده کربن گرافیت و الماس هستند که از دوران باستان کشف شده اند. در گرافیت هر کدام از اتم های چهار ظرفیتی کربن، ...

در این مقاله، با استفاده از نظریه پاسخ خطی هارتری- فاخ، پذیرفتاری مغناطیسی یک گاز الکترونی آزاد قطبیده اسپینی که تحت یک میدان مغناطیسی استاتیک قرار دارد به صورت تحلیلی بررسی می­شود. با توجه به تقریب­های مختلف برای شکل پتانسیل تبادلی، خودمان را محدود به یک مدل نواری دو اسپینی ساده­ای برای گاز فرومغناطیسی می­کنیم. در این مدل فرض می­شود که نوارهای مربوط به الکترونهای با اسپین بالا و پایین نسبت به ...

پراکندگی ناکشسان ژرف لپتونهای قطبیده از نوکلئون های قطبیده ، مهمترین اطلاعات را از توابع ساختار وابسته به اسپین نوکلئون فراهم می کند. مسئله مهم دیگر ، چگونگی توزیع اسپین هادرون در بین محتوای کوارکیآن بوده و تحول توایع توزیع پارتونی هنوز یک مسئله حل نشده در فیزیک انرژی بالای هادرونی است.

در این پژوهش با استفاده از روش تابع گرین به بررسی جریان با قطبش اسپینی در نقاط کوانتومی 24 و 54 اتمی فسفرینی شش‌گوشی با لبه‌ی زیگزاگ پرداخته‌ایم. با این فرض که تمام الکترون‌های ورودی به ساختار نقطه‌ی کوانتومی فسفرین دارای اسپین بالا باشند، با انتخاب مناسب میدان الکتریکی که از خارج توسط یک ولتاژ گیت کنترل می‌شود، می‌توان یک جریان خروجی با قطبش اسپینی دلخواه داشت به‌ویژه شرایطی وجود دارد که می‌تو...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

در این تحقیق بر اساس تکنیک تابع گرین برخی خواص ترابرد اسپینی یک ساختار حلقوی متشکل از سه نقطه کوانتمی مورد توجه قرار گرفته است. در این ساختار، یکی از نقاط کوانتومی غیر مغناطیسی در نظر گرفته می شود و برهم کنش اسپین- مدار راشبا روی این نقطه کوانتومی اعمال می شود، درحالیکه دیگر نقاط کوانتومی در این ساختار می توانند خاصیت مغناطیسی داشته باشند. همچنین با تنظیم پارامترهایی مانند انرژی آنسایت نقاط کوا...