نتایج جستجو برای: تحرک هال

تعداد نتایج: 3851  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
صدیقه دادرس s dadras alzahra universityدانشگاه الزهرا نالایان مانیوانان n manivannan2 کی هون کیم kh kim وحید دادمهر v daadmehr alzahra universityدانشگاه الزهرا

برای بررسی اثر هال در نمونه های بس بلوری ابررسانای دمای بالای ybco آلاییده به نانولوله های کربنی (cnt)، ولتاژهای طولی و عرضی در میدان های مغناطیسی مختلف(0-9t)، در حالت گردابی اندازه گیری شد. ما یک تغییر علامت ضریب هال را نزدیک 3t برای نمونه خالص ybco و یک تغییر علامت دوگانه را نزدیک 3t و 5t برای نمونه ybco آلاییده به 0.7wt%cnt یافتیم. می توان نتیجه گرفت که آلایش cnt سبب میخکوبی قوی گردابه ها در...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
مریم نظرزاده m nazarzadeh alzahra universityدانشگاه الزهرا فاطمه صائب f saeb alzahra universityدانشگاه الزهرا وحید دادمهر v daadmehr alzahra universityدانشگاه الزهرا

در این تحقیق اثر هال بر روی نمونه های بس بلوری (m=ni, fe) yba2cu3-xmxo7-d با مقادیر آلایش0.45 ≤ x ≤ 0 برای ni و 0.03 ≤ x ≤ 0 برای fe در میدان های مغناطیسی k‏oe 4.61, 2.52 و 6.27 عمود بر سطح نمونه با جریان عبوری ثابت100 ma ، بررسی شده است. اندازه گیری های مقاومت ویژه کاهش دمای گذار با افزایش میزان آلایش را نشان می دهد، که آهنگ این کاهش در آلایش ni بیشتر از fe می باشد. در تمامی نمونه ها برای این ...

نظریه‌های علمی را می‌توان در بستر فرهنگی شکل‌گیری خود مطالعه و عوامل شکل‌گیری آن‌ها را تحلیل کرد. یکی از نظریات فرهنگی مطرح در اواخر سده بیستم و اوایل سده بیست‌ویکم، نظریه فرهنگی استوارت هال است. این مقاله درصدد روش‌شناسی انتقادی مبانی معرفتی و غیرمعرفتی نظریه فرهنگی هال است. نتایج بررسی حاضر نشان می‌دهد که مبانی غیرمعرفتی نظریه استوارت هال را می‌توان در شخصیت حاشیه‌نشین وی و روزگار حاکمیت تاچر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1389

در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1391

اثر کوانتومی هال در سیستم های الکترونی دوبعدی در مرز مشترک بین دو نیمه رسانا یا بین یک نیمه رسانا و یک عایق در حد میدان های مغناطیسی شدید عمود بر سطح و در دماهای بسیار پایین رخ می دهد. اثر کوانتومی هال نتیجه مستقیم کوانتش تراز های لاندائو و بی نظمی است. در حقیقت کوانتش هال به سبب پتانسیل ناخالصی نمونه آشکار می شود. اثر کوانتومی هال ویژگی هایی را نشان می دهد که به جزئیات سیستم بستگی ندارد. اثر ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1379

اثر کلاسیک هال در سال 1879 توسط هال کشف شد. پس از گذشت حدودا" یک قرن در سال 1980 فون کلیتسینگ ، دردا و پپر رفتار عجیبی در مقاومت هال مشاهده کردند. د راین آزمایش کوانتیزه بودن مقاومت هال کشف شد که به افزایش دقت اندازه گیری ثابت ساختار ریز تا یک مرتبه بزرگی و انتخاب مقاومت هال به عنوان استاندارد مقاومت منجر شد. لافلین با طرح الگوی شاره تراکم ناپذیر نشان داد که حالتهای برانگیخته سیستم کوانتومی هال...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود - دانشکده معماری 1393

معماری موظف است در بالا بردن قابلیت فضاهای زندگی انسان ها برای تلفیق عوامل محیطی، فرهنگی و اقلیمی باهم و فراهم آوردن شرایط آسایش در زندگی امروز و فردای بشر، تمرکز کند و در این راه تعادل پایدار نظام های اکولوژی را مدنظر داشته باشد تا به این ترتیب معماری استاندارد شده ی امروزه ی شهرهای ما که فاقد ذوق و سلیقه، ملال انگیز، غیربهداشتی و بی تفاوت نسبت به ویژگی های محیط است با گونه های پایدار از فضاها...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1381

نیمرسانای از نیمرساناهای گروه دارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می باشد. از این ترکیب می توان در سخت آشکار سازهای ، مادون قرمز در محدوده طول موجی 10 - 5 میکرون وهمچنین به عنوان گوس متر برای اندازه گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود. با توجه به کوچکی گاف انرژی یک برهمکنش قوی بین حالتهای باند هدایت و حالتهای باند ظرفیت ایجاد می شود که نتیجه آن غیر سهمی بودن باند های انرژی است. پ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

کارایی حسگر های مغناطیسی، به دلیل مقاومت در برابر دما و شرایط صنعتی در بعضی از کاربردهای صنعتی از حسگرهای دیگر نظیر نوری، بیشتر است. خوشرفتار بودن مبدل های اثر هال، قابلیت آنها در تشخیص مولفه های میدان مغناطیسی و صرفه اقتصادی در تولید انبوه، از جمله امتیازات حسگرهای اثر هال در بین انواع حسگرهای مغناطیسی است. با توجه به انتظارات صنعت از حسگر های اثر هال و پیچیدگی روز افزون آنها، تجمیع مبدل های ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - پژوهشکده فیزیک 1391

در این کار ما قصد داریم قرص های برافزایشی استاندارد همراه با تاثیرات میدان مغناطیسی و اتلاف ناشی از وشکسانی و مقاومت مغناطیسی را شبیه سازی کنیم؛ با استفاده از کد ‎pluto‎ می توان سیال برافزایشی مغناطیده را شبیه سازی کرد و تغییر در چگالی، فشار و سرعت های سیال و گازهای اطراف قرص را مورد بررسی قرار داد؛ این تغییرات که ناشی از جابجایی و حرکت ذرات می باشند موجب خم شدگی در خطوط میدان مغناطیسی در داخل ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید