در این مقاله ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی(Na2S سدیم سولفید) در فازساختاری اورتورومبیک موردبررسی قرارگرفته است. محاسبات در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل و با استفاده از کد محاسباتی Wien2k انجام‌شده‌اند. نتایج ساختار نواری نشان می‌دهد که سدیم‌سولفید در فاز ساختاری اورتورومبیک دارای یک گاف نواری مستقیم درنقطۀ Γ به‌اندازۀ 2/405 الکترون‌ولت می‌باشد، که بیشترین...

در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی، ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده‌های تجربی موجود مقایسه شده‌اند. ویژگی‌های اپتیکی با محاسبه قسمت‌های حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...

در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت ...

در این پژوهش خواص الکترونی و اپتیکی بلورهای bitio3 در فاز مکعبی و تتراگونال و bi0.5na0.5tio3 (bnt) در فاز تتراگونال مورد بررسی قرار گرفت. به طور کلی محاسبات حاضر نشان می دهد که، با تغییر فاز بلور bitio3 از مکعبی به تتراگونال گاف انرژی افزایش می یابد. از طرفی افزودن ناخالصی گاف انرژی را کاهش داده است. نتایج اپتیکی نشان داد که نوسانات پلاسمونی در انرژی های بالا، برای بلور bitio3 در فاز مکعبی، ...

در سالهای اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل و انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. به طوری که از آنها در ساخت قطعات فوتونی خصوصا در مدارهای مجتمع فوتونی استفاده های زیادی شده است. بلور فوتونی یک ساختار منظم با ثابت دیالکتریک متناوب فضایی است که پارامتر شبکهای آن قابل مقایسه با طول موج،موج الکترومغناطیسی فرودی است. این ویژگی منجر به ایجاد نوار ممنوعه فرکانسی...

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب alingan از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی wien2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به دست...

در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایج...

در این مقاله، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی یکی از جدیدترین دگر شکل های کربنی برمبنای نظریه تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k بررسی شده است. نتایج ما نشان می دهند که این ساختار از نظر الکترونی و مغناطیسی، با داشتن گاف انرژی ای در حدود 2/2 الکترون-ولت و گشتاور مغناطیسی کل 0013/0 مگنتون بوهر به ازای هر سلول یکه، تقریبا یک نیمه رسانای غیر مغناطیسی است. همچنین، از نظر خواص اپتیکی ن...

دراین تحقیق بر برخی از جنبه های عمومی نانوتکنولوژی از قبیل منبع پیدایش و رویکرد نانو تکنولوژی ، نانو مواد و نیز برخی کاربردهای نانومواد که با سرعت بسیار زیادی در حال گسترش و افزایش است پرداخته شده است. پس از آن به بررسی دقیق نانوتیوبهای کربنی که بیشتر مورد توجه دنیای فیزیک است پرداخته ایم که از بررسی زنجیره های کربنی که در واقع ساختار یک بعدی دارند شروع کرده ایم و پس از آن به بررسی جزیی تر گراف...