در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه ها و هم چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط های لازم و کافی برای بازتاب صد درصدی از سطح بلور متشکل از دی الکتریک های دو لایه ای به دست می آیند. با در نظر گرفتن ا...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی است، که از یک سری میله های دی الکتریک که در یک زمینه ی دی الکتریک همگن با ضریب دی الکتریک متفاوت قرار...

بلورهای فوتونی در دهه های اخیر مورد مطالعه وسیعی قرار گرفته اند. از آنجائی که در عمل بلور فوتونی اندازه محدودی دارد، بنابراین به دلیل قطع شدن ویژگی دوره ای در فصل مشترک بلور فوتونی و هوا، حالت های جایگزیده سطحی حاصل می شود که فرکانس آنها در منطقه ممنوعه فرکانسی قرار می گیرد. به دلیل کاربردهای فراوان حالت های سطحی، به دست آوردن تنظیم پذیری حالت های سطحی دارای مزایای فراوانی می باشد. در اکثر بلو...

چکیده: بلورهای فوتونی (pcs) متداول، ساختارهای کامپوزیتی با آرایه ای متناوب از مواد با ضریب شکست مختلف می باشند. این آرایه ها می توانند در یک، دو و سه بعد تناوب داشته باشند. به علت این تناوب، پراکندگی براگ چندگانه از سلول های واحد، می تواند باعث ایجاد گاف باند های فوتونی(pbgs) شود. درنتیجه انتشار امواج الکترومغناطیسی در فاصله های فرکانسی خاصی ممنوع می شود. وجود گاف باند ها منجر به پدیده های جال...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایجاد باندهای مجاز و ممنوع انرژی برای الکترونهای سیستم می شود، در بلورهای فوتونی نیز تناوب در مواد دی الکتریک و ضریب شکس...

بلورهای فوتونی ساختارهای متناوبی از دی الکتریک ها هستند که بسته به ابعاد این تناوب در سه دسته ی کلی یک بعدی، دو بعدی و سه بعدی جای می گیرند. از زمان کشف بلورهای فوتونی در سال 1887 توسط لرد رایله، اندکی بیش از یک قرن می گذرد. با وجود این، امروزه بلورهای فوتونی جایگاه ویژه ای در زمینه های پژوهشی و کاربردی یافته اند و شاخه ی گسترده ای از فناوری را از آن خود کرده اند. در این کار پژوهشی از بلورهای...

در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. به طوری که از آنها در ساخت قطعات فوتونی خصوصا در مدارهای مجتمع فوتونی استفاده های زیادی شده است. بلورهای فوتونی، ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ممنوعه فرکانسی می باشند که نوار گاف فوتونی نامیده می شوند. ...

امروزه تولید امواج مایکروویو توان بالا برای اندازه گیری آستانه ی استقامت دستگاه های الکترونیکی در مقابل میدان های شدید الکترومغناطیسی و اسلحه ی الکترومغناطیسی مورد توجه فیزیکدانان و مهندسین قرار گرفته است. یکی از روش های مرسوم استفاده از روش بلورهای فوتونی خط انتقال غیرخطی می باشد. شکاف هوایی در ولتاژهای بالا یکی از عناصر غیرخطی در این گونه مولدهای پر توان مایکروویو است. در خط انتقال شکاف هوایی...

?طی دو دههی گذشته مبحث بلورهای فوتونی و ادوات مشتق شده از آنها توجه بسیاری از دانشمندان را بهخود جلب? ?کرده است. بلورهای فوتونی]1[ کاربردهای متعددی دارند که از اینجمله میتوان به فیبرهای نوری حفرهدار اشاره کرد. این? ?نوع جدید از فیبرهای نوری اپتیکی در دو دههی گذشته پیشرفت چشمگیری داشتهاند. آنها دارای ساختار میکرونی بوده و? ?غالباً به فیبرهای نوری بلورهای فوتونی ? p cf?معروفند. راسل و همکارانش ...

بلورهای فوتونی ساختارهای جالبی هستند که توانایی کنترل جریان های فوتونی بوسیله تشکیل گاف باند فوتونی را دارند. رفتار فوتونها در بلورهای فوتونی مشابه رفتار الکترونها درون بلورهای نیمرساناست که بوسیله باند های رسانش و ممنوعه کنترل می شوند، به همین دلیل امروزه از فوتونهای با سرعت بالا بجای الکترونهای کند برای انتقال اطلاعات استفاده می شود. در طراحی وساخت بلورهای فوتونی از انواع مختلف مواد اعم از دی...