اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

در این مقاله یک جفتگر فلزی کم اتلاف و پر بازده به منظور هدایت موج از یک موجبر سیلیکونی به یک موجبر پلاسمونیک معرفی و مشخصه یابی شده است. عملکرد جفتگر در ابعاد مختلف بررسی و بهینه سازی شده است. محاسبات نشان می دهد که در جفتگر پیشنهادی، محدودسازی نور از موجبر سیلیکونی  .   به موجبر پلاسمونیک تا ابعاد2   nm 200×200 با بازده 70 % ( db 8/ 0 )در طول موج µm 55/1 رخ می­دهد .

در این پروژه پس از سنتز یک مشتق آلدهیدی از یک ترکیب آلی- سیلیکونی کلردار، یک لیگاند شیف باز جدید بر پایه ی تراکم مشتق آلدهیدی و یک آمینو الکل سنتز شده است که می تواند برای تهیه نانو کمپلکس کبالت(??) تحت امواج فراصوت به عنوان یک لیگاند دودندانه عمل کند. آلدهید آلی-سیلیکونی، لیگاند و کمپلکس مربوطه به وسیله طیف هایnmr وft ir شناسایی شدند. تثبیت نانوکمپلکس شیف بازکبالت بر بستر نانوذرات مغناطیسی ...

در این پایان نامه مشخصه های الکتریکی لایه های ژرمانیمی که با استفاده از تکنولوژی لایه نازک ساخته شده و دارای ناخالصی آلومینیوم هستند، مورد بررسی قرار می گیرد. ساخت لایه های ژرمانیوم پلی کریستالی با لایه نشانی روی بستر در دمای کم و مراحل تکمیلی آن صورت می پذیرد. به این ترتیب نمونه هایی از ژرمانیوم با میزان ناخالصی آلومینیوم متفاوت روی بستر از نوع شیشه تهیه شده اند. آنالیز مربوط به ساختار فیزیکی ...

نانوساختارهای جدید سیلیکا به نام ذرات SPB (ذرات سیلیکونی تهیه شده به روش سل-ژل و با استفاده از قالب کوپلیمرهای سه­ قطعه­‌ای) با موفقیت در سامانه آب- نرمال اکتان (کمک­حلال)، در محیطی اسیدی ساخته شدند. از تترا اتوکسی سیلان (TEOS) به‌عنوان منبع سیلیکا، اتانول به‌عنوان کمک ­عامل سطح ­فعال و مخلوط دو کوپلیمر PPG-b-PEG-b-PPG و PEG-b-PPG-b-PEG (پلورونیک) به‌عنوان قالب، استفاده شد. ذرات جدید سیلیکای می...

سیلیکون ها مواد اصلاح شده اتم سیلیسیم میباشند که در سالهای اخیر بعلت داشتن پایه معدنی و خواص ویژه نسبت به سایر مواد شیمیایی، رشد چشمگیری یافته اند. کاربرد وسیع مواد سیلیکونی در زمینه های پلیمری، الکترونیک، پزشکی، نظامی و علوم زیست محیطی، توجه مراکز علمی و پژوهشی و دنیای تکنولوژی را بخود جلب کرده است. به دلیل خواص ویژه سیلیکون ها، کاربرد های متنوعی در صنایع رنگ ورزین پیدا نموده اند. پلیمرهای سیل...

 In the last decade, Si(100) has been used as a suitable substrate in field effect transistors. Some issues such as leakage current and tunneling current through the ultrathin films have been increased with shrinking the electronic devices – particularly, field effect transistors – to nanoscale, which is threatening more use of Si(100). We have thus demonstrated a series of experiments to grow ...

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نان...

چندلایه ای[ni(3nm)/sn(xnm)/fe(3nm)] 4 با روش تبخیر حرارتی، روی بستر سیلیکونی، در دمای اتاق و در فشار خلأ 6×?10?^(-7) میلی بار تهیه شدند. لایه ی آلومینیومی با ضخامت 4 نانومتر به عنوان پوشش محافظ لایه نشانی شد. مجموعه شامل نمونه های با ضخامت جداکننده x=2,4 nm است. خواص مغناطیسی و ساختاری مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بازتاب پرتو ایکس، کامل تر شدن ساختار تناوبی و ناهمواری را با افزایش در ضخامت لایه ...

در این مقاله به منظور بهبود پارامترهای الکترونیکی نانوسیم‌های سیلیکونی، اثر اضافه کردن اتم ناخالصی آرسنیک و فسفر بررسی شده ‌است. پارامترهای بررسی شده شامل طیف انتقال، قابلیت تحرک، طول آزاد میانگین و ساختار باند انرژی می‌باشد. جهت بررسی رسانایی و قابلیت تحرک نانوسیم‌های سیلیکونی، انتقال در طول نانوسیم‌های بلند در حضور تعداد زیادی ناکاملی (مانند ناخالصی، جای خالی، بی‌نظمی و ناهمواری‌های سطحی) مور...