نتایج جستجو برای: الکترون رسانش

تعداد نتایج: 4098  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
محمد مردانی m mardaani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد حسن ربانی h rabani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد صادق سلیمانی s soleimani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد

در این پژوهش به مطالعه نظری خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین یک نانوساختار استخوان ماهی شامل دو اتم مغناطیسی در دو انتهایش پرداخته شده است. رسانش الکتریکی این نانو ساختار برای چند جهت گیری متفاوت گشتاورهای مغناطیسی این اتم ها که به دو رسانای غیرمغناطیسی نیمه نامحدود متصل اند، مورد بررسی قرار گرفته است. به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به محاسبه و مقایسه ضریب عبور الکترونی وابسته به اس...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2019

در این مقاله برخی ویژگی‌های اپتیکی از قبیل تابع اتلاف انرژی الکترون وتابع دی‌الکتریک بلور ترکیب Y2O3 بررسی و محاسبه شده است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافتۀ خطی با پتانسیل کامل(FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بستۀ محاسباتی Wien2k صورت گرفته است. با توجه به منحنی تابع اتلاف انرژی (EELS)، انرژی پلاسمون در حدود eV13 محاسبه شد. ضریب شکست ایستایی 1.92 به دست آمد، ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم 1392

در این پایاننامه به کمک روشهای ماتریس انتقال و تابع گرین، در رهیافت بستگی قوی به مطالعهی رسانش الکترونی نانوسیمهای مولکولی با در نظر گرفتن جملههای پرش الکترون بین همسایههای دوم پرداختهایم. نتایج این تحقیق نشان می دهد که در طیف رسانش یک زنجیرهی اتمی، پهنای ناحیهی تشدیدی کاهش یافته و یک گاف انرژی جدید ایجاد میگردد. باافزایش قدرت انرژی پرش الکترون با همسایههای دوم، ناحیهی تونلزنی افزایش مییابد و ش...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت - دانشکده علوم پایه 1393

هدف از انجام این تحقیق مطالعه ی کنترل رسانش در ساختارهای نیمه رسانا می باشد. رسانش در ساختارهای نیمه رسانا را می توان با استفاده از نیمه رساناها و ترانزیستورها کنترل کرد. این پژوهش در سه بخش مورد بررسی قرار می گیرد که در این سه بخش تاثیر چرخش درونی بر رسانش نانوپلیمرهای هادی دارای حلق? بنزن اعمال می شود .در بخش اول به محاسب? گاف انرژی می پردازیم .در بخش دوم به محاسب? اختلاف بار الکتریکی اتم های...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1389

چکیده: با کوچک سازی مداوم قطعات الکترونیکی بحث ترابری الکترون در ساختارهای نانویی و کاربردهای آن در صنعت الکترونیک و تکنولوژی فوق مدرن کاربرد وسیعی پیدا کرده است. تکنیکهای پیشرفته ی رشد بلور مانند تکنیکهای لیتوگرافی نیز طراحی و تولید ساختارهای مصنوعی را فراهم کرده اند که پدیده های فیزیکی جدیدی را نشان می دهند. یکی از قطعات مصنوعی, نقطه ی کوانتومی ( ) می باشد. نقاط کوانتومی نواحی کوچک تعریف شده...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1393

در این رساله، ویژگی های ترابردی اتصالات گرافین دو لایه را از لحاظ نظری بررسی می کنیم، که در آن یک لایه گرافین فرومغناطیس شده بین گرافین های نرمال ساندویچ شده است. رسانش سیستم بر اساس فرمول لاندائو - بوتیکر محاسبه می شود .در این اتصالات، ما می توانیم گاف انرژی و ساختار نواری گرافین دو لایه را با استفاده از ولتاژ بایاس بین لایه ها و میدان تبادلی القا شده بر روی لایه ها کنترل کنیم. همچنین مشخص گرد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1390

گرافین، یک لایه ی دو بعدی از اتم های کربن است که در یک ساختار زنبور عسلی چیده شده است. این ماد ه ی دو بعدی که مانند نیمه رسانای با گاف صفر رفتار می کند، به دلیل داشتن الکترون های دیراک گونه ی نسبیتی متمایز از نیمه رساناهای معمول رفتار می کند. همچنین گرافین به دلیل داشتن اندازه ی از مرتبه ی اتمی، قابلیت تبدیل به مواد فرومغناطیس با الکترون های اسپین قطبیده را دارد که این امر گرافین را در علم اسپی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده فیزیک 1382

حضور ناخالصی های مغناطیسی در فلزات موجب تغییر خواص الکتریکی آن ها می گردد. ما با استفاده از یک مدل ساده به بررسی اثرات پراکندگی ناشی از حضور ناخالصی های مغناطیسی بر رسانش نانولوله های تک دیواره کربنی می پردازیم. این مدل ساده عبارت است از استوانه ای فلزی که تعداد کمی ناخالصی مغناطیسی بر روی سطح آن قرار گرفته اند. بخش غیر خطی رسانش (اثر کاندو) را که حاصل برهم کنش الکترون های رسانش با ناخالصی هاست...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1393

گرافن ورقه ای دو بعدی از اتم های کربن دریک پیکربندی شش ضلعی می باشد که این اتم ها با هیبرید به هم متصلند و هر اتم کربن با 3 اتمکربن دیگر پیوند داده است که این سه پیوند در یک صفحه قرار دارند و زوایای بین آنها با یکدیگر مساوی و برابر با 120درجه است . نانو لوله های کربنی تک دیواره یک صفحه گرافن است که به شکل لوله در آمده باشد ویکی از مستحکم ترین مواد به شمار می روند و هادی جریان التریسیته و گرما م...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید