استفاده از افزاره های فوتونیکی در سیستم های مخابراتی از سه دهه پیش آغاز شده و تا به امروز روند رو به رشدی را طی کرده است و پیش بینی می شود تا سال 2015، نرخ انتقال داده ها به 40 ترا بیت بر ثانیه برسد. اما در سال های اخیر پیشرفت افزاره های فوتونیکی با محدودیت پراش نور مواجه شده است. این محدودیت امکان کوچکتر شدن افزاره های فوتونیکی از محدوده ی شکست نور را از بین می برد. با توجه به این محدودیت امکا...

کاهش توان مورد نیاز افزاره¬های میکرو¬الکترونیکی همراه با افزایش تعداد افزاره¬های بی¬سیم، برداشت¬کننده¬های انرژی محیطی را به موضوع مورد توجه محققان تبدیل کرده است. در این پایان¬نامه عملکرد افزاره¬های الکتروستاتیکی جهت برداشت انرژی الکتریکی از نیروی مکانیکی ورودی با قابلیت حرکت در یک بعد (1d)، دو بعد (2d) و سه بعد (3d) شبیه¬سازی می¬شود. مدل¬های حرکت 1d برای برداشت¬کننده¬های همپوشانی در سطح و نزدی...

لرزش‏ها ی موجود در محیط منبعی مهم برای تولید انرژی الکتریکی هستند که اغلب این لرزش‏ها در فرکانس‏های بسیار پایین (100-1 هرتز) اتفاق می‏افتد. طراحی و ساخت مولّدهایی که توانایی برداشت انرژی از این محدوده فرکانسی را داشته باشند اهمیت بسیاری برای تغذیه سیستم‏های بدون‏سیم دارد. در پایان‏نامه حاضر تولید انرژی الکتریکی به‏روش القای الکترومغناطیسی مطالعه‏ و شبیه‏سازی می‏شود. بدین منظور سه نوع مولّد الکترو...

در این پژوهش طراحی و مدلسازی اتمی سوئیچ الکترومکانیکی لغزشی چند حالته مبتنی بر نانو نوار گرفاینی آلفا دولایه با بهره گیری از نظریه تابعی چگالی و ترکیب آن با تابع گرین غیرتعادلی ارائه میشود. ساختار سوئیچ پیشنهادی به صورتی است که لایه گرفاین زیرین ثابت و لایه بالایی آن متحرک است. چینشهای متمایز از طریق حرکت لایه بالایی نسبت به لایه پایینی در راستای محور افقی و با فواصل جابجایی 9.44Å ، 8.41 Å، 3.9...

با توجه به مشکلاتی که با کاهش مقیاس مدارها به ابعاد زیر میکرون (به منظور افزایش سرعت، افزایش چگالی ادوات و ...) برای ادوات سیلیکونی پیش آمده است نیاز به استفاده از مواد جدیدی در ساخت ترانزیستورها مطرح شده است. یکی از موادی که به عنوان نامزدی برای استفاده در ترانزیستورها به عنوان ماده کانال مطرح است نانولوله کربنی است. نانولوله کربنی با توجه خواص فوق العاده اش مانند رسانندگی بالا، انتقال بالیستی...

هدف اصلی در این پروژه ساخت افزاره دیود اثر میدانی در آزمایشگاه نانو الکترونیک دانشگاه تهران بوده است. به همین منظور با استفاده از دستگاه های لازم، از جمله کوره های آلایش بور و فسفر، کوره رشد اکسید ، ابزار مربوط به لایه نشانی پلی سیلیسیم و اتصالات و دستگاه اندازه گیری مشخصه ها، به ساخت و مطلوب سازی عملکرد افزاره پرداختیم. سعی بر این بوده است که نمونه های ساخته شده با متغیر های متفاوت در هر افزار...

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مق...

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مق...

استفاده از افزاره های فوتونیکی در سیستم های مخابراتی از سه دهه پیش آغاز شده و تا به امروز روند رو به رشدی را طی کرده است و پیش بینی می شود تا سال 2015، نرخ انتقال داده ها به 40 ترا بیت بر ثانیه برسد. اما در سال های اخیر پیشرفت افزاره های فوتونیکی با محدودیت پراش نور مواجه شده است. این محدودیت امکان کوچکتر شدن افزاره های فوتونیکی از محدوده ی شکست نور را از بین می برد. با توجه به این محدودیت امکا...

سیستمها برای سالیانی با استفاده از تکنولوژی cmos طراحی و تولید شده اند، با بهبودهایی که در فرایند ساخت بوجود آمد طراحی ها توانستند به راحتی در نواحی کوچکتری مقیاس شوند. برای افزاره های cmos با طول گیت زیر 100 نانومتر قابلیت تغییرپذیری شدید افزاره ها معرفی و به عنوان اصلی ترین موانع طراحی مدارات آنالوگ نسل جدید شناخته شد. هندسه کوچک افزاره ها، علاوه بر مجتمع سازی انبوه ترانزیستورها، توانایی طراح...