در سال های اخیر ترابرد جریان اسپین قطبیده از ساختار های چند لایه ای نیمرسانای غیرمغناطیسی / نیمرسانای مغناطیسی رقیق شده (dms/nms) به دلیل کاربرد آنها در اسپینترونیک توجه زیادی را به خود معطوف کرده است. در این پایان نامه به طور نظری آثار جفت شدگی اسپین- مدار راشبا را روی مغناطومقاومت و قطبیدگی اسپینی ساختار سد دو گانه dms/nms در حضور میدان مغناطیسی بررسی نمودیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که ...

چکیده از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهمکنش اسپین- مدار راشبا در سال 1990 تا کنون تلاش های زیادی برای تزریق و آَشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماده ی نیم رسانا منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالعه ی خواص ترابرد بار و اسپین حلقه های مزوسکوپی بالیستیک نظیر مقاومت مغناطیسی تونل زنی، تشدیدهای رسانندگی، جریان های پایدار بار و ا...

در این تحقیق بر اساس تکنیک تابع گرین برخی خواص ترابرد اسپینی یک ساختار حلقوی متشکل از سه نقطه کوانتمی مورد توجه قرار گرفته است. در این ساختار، یکی از نقاط کوانتومی غیر مغناطیسی در نظر گرفته می شود و برهم کنش اسپین- مدار راشبا روی این نقطه کوانتومی اعمال می شود، درحالیکه دیگر نقاط کوانتومی در این ساختار می توانند خاصیت مغناطیسی داشته باشند. همچنین با تنظیم پارامترهایی مانند انرژی آنسایت نقاط کوا...

پدیده ناکامی هندسی در اکسیدهای پایروکلر مغناطیسی موجب بروز خواص جالب در این مواد در دماهای پایین می شود. از این رو دو ماده چالش بر انگیز، و را از اکسیدهای پایروکلر انتخاب کردیم و این دو ماده را با استفاده از روش ابتدا به ساکن بر پایه نظریه تابعی چگالی مورد بررسی قرار دادیم. برای اعمال صحیح برهم کنش های کولمبی الکترون های f، رهیافت dft+u را با استفاده از روش تصحیح هابارد را به کار گرفتیم. در این...

در این پژوهش اثر برهم کنش اسپین– مدار راشبا روی طیف انرژی و ضریب پذیرفتاری غیر خطی مرتبه ی دوم فرآیند جمع فرکانسی در یک نقطه ی کوانتومی کروی با پتانسیل محدود کننده ی سهموی در چار چوب جرم موثر مورد بررسی قرار گرفته است.در ابتدا اثر برهم کنش اسپین– مدار راشبا و میدان مغناطیسی روی طیف انرژی نقطه ی کوانتومی بررسی شده است.نتایج نشان می دهند که انرژی به شدت برهم کنش اسپین- مدار راشبا، شعاع نقطه ی کوا...

ما در این پایان نامه پذیرفتاری گرافن تک لایه را محاسبه خواهیم کرد. به این صورت که ابتدا هامیلتونی گرافن تک لایه را با استفاده از روش بستگی قوی در فرم کوانتش دوم و با در نظر گرفتن ترم راشبا (یعنی با وجود اثرات اسپین-مدار القایی) محاسبه خواهیم کرد و با محاسبه ویژه حالتها و وارد کردن بر همکنش الکترون- فوتون (وجود یک میدان الکترومغناطیسی خارجی) و اضافه کردن ترم زیمن پذیرفتاری گرافن تک لایه را بدست ...

در این تحقیق با استفاده از روش بستگی قوی و هامیلتونی بسط داده شده بر پایه اوربتال¬های اتمی و فرمول¬بندی تابع گرین به بررسی برهمکنش¬های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا بر روی خواص الکترونی، مغناطیسی و ترابرد در نانو ساختارهای کربنی می¬پردازیم. وجود لبه¬های زیگزاگ در نقاط کوانتومی کربنی موجب جایگزیدگی اسپین بر روی لبه¬ها و مغناطش خالص در نانوساختار می¬شود. برای بر...

دو نوع برهمکنش اسپین- مدار راشبا و درسلهاوس به ترتیب ناشی از نبود تقارن وارونی دیواره های گیرانداز و نبود تقارن وارونی حجمی در یک سیستم هستند که در کنترل مغناطش اسپین رسانش نقش اساسی دارند.ما در این رساله به بررسی جامع این دو نوع برهمکنش پرداخته و با استفاده از مدل نیمه کلاسیک و حل معادله بولتزمن در چارچوب تقریب زمان واهلش، اثر این برهمکنش ها را بر روی خواص مگنتو الکتریک مانند جگالی اسپینی هم د...

این واقعیت که حالت های اسپین الکترون (به جای بار الکتریکی) بسیار کمتر حساس به نوفه های الکترومغناطیسی هستند، باعث آن شده است که امروزه تلاش وافری برای توسعه دستگاههای اسپینترونیکی (به جای الکترونیکی) به عمل آید. در این راستا دسته ای ازموادکه شامل فلزات و حتی نیمه هادی های آلی هستند برای استفاده در فناوری اسپینترونیک پیشنهاد شده است. یک کاندیدای مناسب برای چنین کاربردهایی، تک لایه ای از اتم های ...

جفت شدگی اسپین-مدار به علت استفاده های گوناگون در پدیده های نوین فیزیکی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از مهم ترین این پدیده ها اسپینترونیک است، که شامل مطالعه کنترل فعال و دستکاری درجه آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. به عبارت دیگر، اسپینترونیک اشاره به الکترونیک اسپینی، پدیده ی ترابرد اسپین های قطبیده در فلزات و نیمه هادی ها دارد. جفت شدگی اسپین-مدار برای تولید جریان اسپین قطبیده ...