در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

مقدمه: هدف این مطالعه آزمایشگاهی بررسی تاثیر کلسیم هیدروکساید مخلوط شده با حامل های مختلف روی استحکام باند فشاری MTA بود. مواد و روش ها: تعداد ۸۰ دندان کشیده شده تک کانال انسیزور ماگزیلای انسان که تاج آنها جدا شده بود، برای مطالعه انتخاب شد. کانال دندانها پس از آماده سازی بر اساس حامل استفاده شده برای کلسیم هیدروکساید به طور تصادفی به چهار گروه تقسیم شدند وبا چهار ماده داخل کانال پانسمان شدند. ...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

هدف این پایان نامه دکتری بررسی عملکرد ترانزیستوری دیود اثر میدانی (fed) است. ساختار این دیود مشابه با یک mosfet می باشد، بطوریکه آلایش سورس و درین آن متفاوت بوده و دارای دو گیت بر روی کانال است. این ترانزیستور قابلیت روشن و خاموش شدن با ولتاژ گیتها را دارد. نتایج حاصل از شبیه سازی این افزاره با استفاده از نرم افزار minimos-nt نشان می دهد که این ترانزیستور با ساختار معمولی آن در ابعاد میکرومتری ...

در شبکه ماهواره ملی که روش دسترسی scpc-dama برای آن در نظر گرفته شده، تعداد زیادی کاربر به طور همزمان از کانال مخابراتی استفاده می کنند. بنابر این مسأله تداخل بین کانالهای مجاور از اهمیت بسیاری برخوردار است. به منظور کاهش پهنای باند و تداخل بین سمبلها، پالس های داده به صورت rrc شکلدهی می شوند. تغییرات دامنه ای که در این پالسها وجود دارد، موجب تغییرات شدیدی در پوش سیگنال حامل مدوله شده و باعث ای...