هدف این مقاله بررسی اثرات سیاست پولی بر تولید ناخالص داخلی و سطح عمومی قیمت هااز طریق کانال اعتباری (کانال وام دهی بانکی) در ایران طی دوره 2q1387- 1q1368 می باشد. بدین منظور با استفاده از الگوی تصحیح خطای برداری (vec) اثرات سیاست پولی از طریق کانال وام دهی مورد بررسی قرار گرفت. به طور کلی نتایج حاکی از این است که افزایش حجم پول، به دلیل افزایش بدهی بانک ها به بانک مرکزی، تنها در کوتاه مدت سطح ت...

فرایند درهم‌کردن نخ‌های رشته‌ای به وسیله جت هوا در سال‌های اخیر به دلیل هزینه تولید کمتر، کاربردهای متنوع محصول تولیدی و کارایی بهتر جت درهم‌کردن گسترش زیادی یافته است. به دلیل اهمیت فرایند درهم‌کردن، پژوهشگران بسیاری روی این روش کار کرده و نتایج زیادی به‌دست آمده است. در این فرایند به رشته‌های باز و موازی نخ یکسره تغییر شکل‌یافته یا شکل‌نیافته پیوستگی بین رشته‌های متناوب و موقت داده می‌شود. نو...

با توجه به اهمیت نقش کانال توزیع در زنجیره تامین بصورت عام و اهمیت ویژه آن در صنعت ماشین های اداری بطور خاص و همچنین تغییر استراتژی شرکت رنک زیراکس ایران در تغییر کانال توزیع از شعبه به نمایندگی در سالهای اخیر، این تحقیق در نظر دارد رضایت مشتریان از کیفیت خدمات و قیمت ها را در شعبات و نمایندگی های آن شرکت بررسی و مقایسه نموده و تاثیر تغییر استراتژی بر رضایت مشتریان را در این شرکت ارزیابی نماید....

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن ...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

فرایند درهم­کردن نخ­های رشته ای به وسیله جت هوا در سال­های اخیر به دلیل هزینه تولید کمتر، کاربردهای متنوع محصول تولیدی و کارایی بهتر جت درهم­کردن گسترش زیادی یافته است. به دلیل اهمیت فرایند درهم­کردن، پژوهشگران بسیاری روی این روش کار کرده و نتایج زیادی به­دست آمده است. در این فرایند به رشته­های باز و موازی نخ یکسره تغییر شکل­یافته یا شکل­نیافته پیوستگی بین رشته­های متناوب و موقت داده می­شود. نو...

چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...

در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید ارائه شده در بهبود اثرهای کانال کوتاه از قبیل جریان نشتی، نوسان های زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین پرداخته شده است.هم چنین یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی جدید به منظور کاهش اثرهای کانال کوتاه ارائه شده است.برای شبیه سازی این افزاره ی پیشنهادی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی، برای حل معاد...