نتایج جستجو برای: اثر حفاظت مغناطیسی
تعداد نتایج: 162080 فیلتر نتایج به سال:
بر مبنای فرضیه تغییرات خودپذیری مغناطیسی(k) سنگها در اثر حرارت و دگرسانی ژئوشیمیایی حاصل از عمل گرمابها در منطقه اکتشافی سرعین،اندازه گیریهای تفصیلی میدان مغناطیسی در منطقه ای به وسعت 16 کیلومتر مربع صورت گرفته است. بر اساس نقشه مغناطیسی بدست آمده،دوبی هنجاری با افت مشخص میدان نسبت به میدان مغناطیسی زمینه منطقه مشخص گردیده است. پس از تعیین عمق تقریبی منابع دوبی هنجاری،نقاطی برای حفر گمانه های ا...
در مقاله حاضر، سقوط قطره سیال فرو در سیال غیر مغناطیسی تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی به صورت عددی مطالعه می شود. برای این منظور، از روش ترکیبی شبکه بولتزمن مدل شان- چن و روش حجم محدود استفاده شده است. معادله شبکه بولتزمن با استفاده از اضافه کردن ترم نیروی مغناطیسی جهت به روزرسانی میدان جریان حل می شود، در حالیکه معادله القاء مغناطیسی به روش حجم محدود برای محاسبه میدان مغناطیسی ...
فرسایش تشدید شونده خاک در سطح کشور موجب اثرات محلی و برون محلی می گردد و شناسایی منابع تولید رسوب و تعیین سهم هر کدام در تولید رسوب برای انتخاب راهبردهای مدیریتی در سطح حوضه آبخیز ضروری است. با وجود افزایش مطالعات منشایابی، تعیین مقادیر عدم قطعیت مرتبط با مدل های ترکیبی به ویژه براساس ویژگی های پذیرفتاری مغناطیسی کمتر مورد توجه قرار گرفته است. هدف از این مطالعه، تعیین سهم زیرحوضه ها در تولید رس...
سابقه و اهداف : خطوط انتقال برق از منابع تولید میدان مغناطیسی با فرکانس بی نهایت پایین محسوب می گردد. هدف از این مطالعه بررسی چگالی شار مغناطیسی با فرکانس های بی نهایت پایین (elf ) در اطراف خطوط فشار قوی برق منطقه غرب تهران درسال 1391 بود. مواد و روشها: در این مطالعه چگالی شار مغناطیسی در اطراف سه خط فشار قوی انتقال برق 63، 230 و 400 کیلوولت اندازه گیری شد. اندازه گیری ها با استفاده از دستگاه س...
نانوسیم های کبالت به روش الکتروانباشت شیمیایی و با استفاده از قالب های آلومینای آندی ساخته شده است. اثر اعمال میدان مغناطیسی خارجی در حین فرآیند الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی نانوسیم های ساخته شده مورد مطالعه قرار گرفته است. بررسی منحنی های مدت زمان پر شدن کامل حفره های آلومینا نشان می دهد که بااعمال میدان مغناطیسی، سرعت انباشت یونها تحت تأثیر قرار می گیرد.الگوهای پراش اشعه x نیز نشان می دهد که...
در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است. برای غلبه بر این مشکل و ایجاد گاف درساختار الکترونی صفحه گرافین به نوار¬های باریک، نقاط کوانتومی و حلقه¬های کوانتومی ...
به منظور بررسی تاثیر آب مغناطیسی بر فرآیندهای فیزیولوژیک ماش رقم پرتو تحت تاثیر تنش خشکی، آزمایشی گلدانی در سال 1392 در دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری اجرا گردید. این آزمایش بصورت فاکتوریل در قالب طرح کاملا تصادفی با چهار تکرار انجام شد. عامل اول شامل دو سطح آبیاری (آبیاری پس از 50 و 100 میلی متر تبخیر از تشتک تبخیر کلاس a به ترتیب به عنوان شرایط عدم تنش و تنش خشکی) و عا...
بلورهای فوتونیک ساختارهای متناوب از مواد دی¬الکتریکی¬اندکه مهم¬ترین مشخصه¬ی آن¬ها داشتن گاف نواری فوتونیک است. فرمول¬بندی و روابط فیزیکی مربوط به بلورهای فوتونیک، امواج بلوخ، تقارن¬ها، نقص در بلورهای فوتونیک و ... معرفی می¬گردد. بلورهای فوتونیک مغناطیسی، نوعی از بلورهای فوتونیک¬اند که در آن¬ها اجزای مغناطیسی در کنار مواد دی¬الکتریکی قرار داده می¬شود و با به¬کاربردن میدان مغناطیسی خارجی، خاصیت م...
باکتری های مغناطیسی، تحت تأثیر میدان مغناطیسی زمین جهت گیری می نمایند. انواع اشکال کوکسی، باسیل و مارپیچی در آن ها مشاهده شده است. فراساختار مگنتوزوم در این باکتری ها باعث جهت گیری آن ها تحت تأثیر میدان مغناطیسی و به عنوان بخش ذخیره ی آهن محسوب می شود. در این پژوهش حضور باکتری های مغناطیسی در نقاط مختلف کشور ایران با ویژگی آب شیرین، نیمه شور و شور شامل معدن آهن مروارید زنجان ، تالاب میقان، خلیج...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید