خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...

اخیراً چسب های رسانای الکتریسیته به عنوان جایگزین بالقوه لحیم های دارای سرب، توجه و تمرکز زیاد پژوهشگران را به خود معطوف کرده اند. این چسب ها براساس مسیر رسانایی، به دو دسته کلی همسانگرد و ناهمسانگرد تقسیم م یشوند. کاربرد اصلی چسب های رسانای همسانگرد در زمینه قطعات الکترونیک است. مطالعاتی که در زمینه چسب های رسانای الکتریسیته انجام شده است، نشان می دهد که این چسب ها نسبت به فناوری سنتی اتصال...

لایه های نازک اکسید قلع با ناخالصی فلوئور به روش اسپری پایرولیزیز جایگذاری شدند. نمونه ها با پارامترهایی نظیر: نسبت وزنی مختلف، دمای جایگذاری مختلف، مولاریته محلول مختلف تهیه شدند.برای مورد اول، نسبت وزنی فلوئور به قلع(f/sn) با گام های 0/05 از 0 تا 0/3 تغییر نمود. برای موارد بعدی نمونه با نسبت وزنی 0/05: f/sn در سه دمای متفاوت و سه مولاریته متفاوت جایگذاری شد طیف پراش پرتو x برای4 نمونهبا نسبت ...

نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید ایندییم با داشتن گاف انرژی به اندازه ev 24/3 یک اکسید نیم رسانای شفّاف است. افزودن آلاینده کروم به آن باعث شد که این ترکیب نیم رسانای نوع شود و گاف انرژی به اندازه ی ev 01/4 تغییر پیدا کند و برای آلاینده روی، نوع و گاف انرژی ev 29/3 شود. ضرایب شکست استاتیکی و برابر 2 و برابر 9365/1 برای اکسید ایندییم خالص بدست آمد و افزودن آلایش های فوق برای نوع و به ترتیب ا...

نتایج نشان می دهدکه این دسته از ترکیبات همگی نیم رسانا هستند،که ترکیب bese نیم رسانای با گاف غیرمستقیمبا گاف نواریبرابرev)62/3= ) و گاف مستقیمبا گاف نواریبرابر ev)5= ) و برای بقیه ی ترکیبات سه تایی با مقادیر (75/0و5/0و25/0و0 =x) همگی نیم رسانای با گاف مستقیمبا گاف نواریبه ترتیب برابر ev(7/3و7/2و4/2و07/2) می باشند. افزودن بریلیم به ترکیب cdse با غلظت های مختلف xبا مقادیر (1و75/0و5/0و25/0و0 =x ) ...

آلاییدن عایق ها و نیم رساناها به منظور مغناطیسی کردن این مواد در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. چنین موادی کاربرد فراوانی در صنعت از جمله صنعت اسپینترونیک دارند. می توان به جای آلاییدن این مواد، از طریق کپسوله کردن سیم های مغناطیسی و یا نانوذرات مغناطیسی در داخل نانولوله های نیم رسانا آن ها را مغناطیسی کرد. همچنین رشد ساختار نانوذرات مغناطیسی مانند نانوذره ی آهن به دلیل اکسیده شدن...

. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است. نتایج بررسی ها نشان می دهد که جریان الکتریکی به خواص ساختاری نا...

اخیراً چسب های رسانای الکتریسیته به عنوان جایگزین بالقوه لحیم های دارای سرب، توجه و تمرکز زیاد پژوهشگران را به خود معطوف کرده اند. این چسب ها براساس مسیر رسانایی، به دو دسته کلی همسانگرد و ناهمسانگرد تقسیم م یشوند. کاربرد اصلی چسب های رسانای همسانگرد در زمینه قطعات الکترونیک است. مطالعاتی که در زمینه چسب های رسانای الکتریسیته انجام شده است، نشان می دهد که این چسب ها نسبت به فناوری سنتی اتصال...

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...