فیلم‌های نازک چارچوب­های فلز-آلی یا همان پلیمرهای هم­آرای متخلخل که بر سطح بستر قرار می­گیرند، توجه زیادی را به عنوان شکل جدیدی از نانوفناوری به خود جلب کرده­اند. روش‌های رسوب­دهی جدید که کنترل ضخامت فیلم، همگنی، شکل­شناسی و ابعاد آن را با ترکیبات چارچوب فلز-آلی متعدد امکان­پذیر ساخته­اند، فرصت‌های زیادی را در زمینه‌های مختلف ارائه می‌دهند. در پاسخ به تقاضاهای روزافزون برای پایداری محیط زیست و ...

در این تحقیق طیف جذبی و بازتابی و عبوری از نانوکامپوزیت های فیلم نازک نقره که روی سطح خارجی زیر دریایی‌ها، کشتی‌ها، هواپیماها وغیره لایه نشانی شده است، اندازه گیری می‌شود تا بتوان‌ آن‌ها را از دید رادارهای دیگر خارج نمود. با توجه به این‌که بیشتر رادارها در باندx  و k رفتار می‌کنند. در این مقاله بیشتر روی این باندها تحقیق شده است. برای بدست آوردن ضرایب جذب، انعکاس و عبور در حالت‎ عمودی و مایل ، ...

در کار حاضر، فیلم های نازک v2o5آلاییده با سریم با تکنیک غوطه وری روش سل-ژل روی بستر شیشه ‏ای نهشته شدند. تاثیر آلایش سریم و دمای بازپخت روی ویژگی‏‎‏های ساختاری، مورفولوژی، اپتیکی فیلم ها و فعالیت کاتالیزوری آنها توسط آنالیزهایxrd ، ftir، sem، afm و طیف سنجی uv/vis مورد بررسی قرار گرفت. نتایج الگوی پراش پرتو ایکس (xrd) فیلم های نازک v2o5خالص و آلاییده با سریم بیانگر این است که در دمای ?250 فیلم ...

در کار حاضر، ساختار نامتجانس دو مؤلفه‌ای از آرایه نانومیله‌های اکسید روی (ZnO NRs) و ساختارهای اکسید مس (CuO) رشد داده می‌شود. نانومیله-های یک بعدی ZnO به کمک لایه جوانه‌زنی به‌وسیله‌ی روش شیمیایی‌تر در دمای پایین رشد داده می‌شوند. سپس فیلم نازک اکسید مس با اکسایش حرارتی فیلم نازک Cu نهشت‌شده با کندوپاش مگنترونی بر ZnO NRs به منظور افزایش و گسترش جذب اپتیکی در ناحیه مرئی تشکیل می‌شود. مشخصه‌های...

فرایند ساخت و تولید گاما آلومینای حاضر بر پایه روش سل- ژل است. هدف ما در این پروژه تهیه فیلم های نازک نانوساختار ?-al2o3 (گاما آلومینا) می باشد که از طریق لایه نشانی غوطه وری تهیه می شوند. روش حاضر روشی اقتصادی جهت تولید گاما آلومینای نانوساختار با کیفیت و با مورفولوژی های ساختاری مختلف است. گاما آلومینای نانوساختار بدست آمده در این روش دارای اندازه حفرات در مقیاس نانو به همراه توزیع یکنواخت مط...

چکیده: نظر بر اینکه اکسید روی یک نیم رسانا با گاف باندی پهن می باشد به عنوان یک ماده ی مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد. اکسید روی علاوه بر کاربرد به عنوان یک رسانای شفاف و حسگر گازی، در ساخت واریستورها و سلولهای خورشیدی مورد استفاده قرار می گیرد. روش سل- ژل یک روش ساده، کم هزینه و جذاب برای تهیه لایه های نازک اکسید روی بوده و امکان تهیه لایه هائی با س...

sol-gel یک فرآیند پیشرفته و نوین برای تولید انواع سرامیکها و شیشه‏ها است. در سالهای اخیر ساخت نانوساختارهای مختلف به روش سل- ژل به سرعت گسترش یافته است. در سال‏های اخیر کامپوزیت‏ها به ویژه فیلم‏های نازک کامپوزیت نیمه رساناهای گروه ?v-??، مانند نانوذرات cdse، cds، cdte و zns جایگزیده شده در یک سیستم متخلخل به دلیل کاربردشان در ساخت لیزرهای نیمه رسانای مریی بسیار مورد توجه قرار گرفته‏اند. سولفیدر...

لایه های نازک سولفید روی به علت کاربردهایشان در وسایل اپتوالکترونیک مانند دیودها، نمایشگرهای صفحه تخت و پوشش های ضد بازتاب در فناوری های سلول های خورشیدی، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. از میان انواع روش های لایه نشانی سولفید روی، اسپری گرمایی به دلیل هزینه کم، سادگی، توانایی کنترل شدت لایه نشانی و تهیه لایه های یکنواخت و قابلیت لایه نشانی بر روی سطوح بزرگ، روشی کارآمد می باشد. در این تحقیق،...

فیلم های نازک اکسید تنگستن با استفاده از محلول آبی پروکسوتنگستیک اسید از طریق تکنیک الکتروانباشت روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شده با اکسید قلع لایه نشانی می شوند. فیلم ها بر حسب تابعی از دمای بازپخت (°c60، °c100،°c250 و°c400)بررسی می شوند. فیلم ها به وسیله میکروسکوپ الکترونی گسیل میدانی، چرخه ولتامتری واسپکترومتر uv-visible اندازگیری می شوند. فیلم ها عبور بالایی در ناحیه مرئی از خود نشان دادند. ...