با استفاده از روش ماتریس انتقال بصورت نظری به مطالعه‌ی خواص ترابردی اسپینی در ابرشبکه‌ی سیلیسینی در حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبا‌ی خارجی و کرنش می‌پردازیم. به دلیل حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی، رسانش اسپینی و چرخش اسپینی را می‌توان با قدرت کرنش و برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی تنظیم کرد. برای مقادیر خاصی از قدرت اسپین-مدار راشبای خارجی الکترون‌ها فقط در صورتی که چرخش کامل اسپینی انجام...

درعبورامواج شرایط تونل زنی تشدیدبستگی به عبورکامل امواج میرایی دارد که درآنها است وتنهادرصورتی انتقال کامل رخ می دهد که طول کل متاموادمضرب صحیحی ازنصف طول موج باشد درغیراینصورت دامنه ی عبوربه علت انتقال فاز یابازتاب هایی که ازهرکدام ازسلول های واحدوجودداردکاهش می یابد.دراین پایان نامه به بررسی شرط تونل زنی تشدیدامواج آکوستیک پرداختهوازروش ماتریس انتقال برای بررسی این پدیده استفاده شده است .شبکه...

در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات سیلیسنی سیلیسن نرمال / سیلیسن فرومغناطیس / سیلیسن نرمال که یک الکترود به سیلیسن فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از سیلیسن فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی دارد که با طول سیلیسن فرومغناطیس رابطه دارد و قابل تنظیم باولتاژ گیت است. به طور خاص یک جریان اسپین به دست می آوریم که...

مشاهده شده است که ناپیوستگی نواری در اتصال نیمه هادیها به صورت بحرانی به عوامل متعددی وابسته است. با استفاده از روش شبه پتانسیل ابتدا به ساکن در موارد ابرشبکه کرنش یافته inga as / ga as توانستیم وابستگی ناپیوستگیهای نواری (ظرفیت و رسانش) را بر حسب کرنش و ترکیب in در این سیستم تعیین نماییم. علاوه بر این, نشان داده ایم که ناپیوستگی نواری را می توان با معرفی یک لایه ge در ناحیه فصل مشترک کنترل نمود.

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

در سال های اخیر مواد مغناطیسی نرم به خصوص آلیاژ های نانو ساختار به طور گسترده ای در صنایع مختلف مورد استفاده قرار گرفته است. این مواد به عنوان جذب کننده ی نویزهای الکترومغناطیسی برای جلوگیری از خراب شدن مدارهای الکترونیکی، در وسایلی که با فرکانس-های بالا کار می کنند، به عنوان هسته در القاگرها و در سنسورهای مغناطیسی بکار می روند. یکی از این مواد، آلیاژی از نیکل و آهن یا پرمالوی (80% نیکل و 20% آ...

در این تحقیق بس لایه­های فلزی ni-cu/cu با ضخامت زوج لایه­ متفاوت بر روی زیرلایه­های cu با بافت قوی ( 100 ) به روش الکتروانباشت تهیه گردیدند. سپس ساختار این نمونه ها توسط دستگاه xrd و میکروسکپ sem مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. قله های اقماری موجود در طیف xrd ساختار بس لایه­ای و در نتیجه ابرشبکه بودن فیلمها را موردتأیید قرار داد. این طیف نشان داد که بس لایه­ها نیز دارای یک بافت قوی ( 100 ) و ساخ...

هدف اصلی در این پایان نامه، تحلیل پاسخ نوری ابرشبکه ی متشکل از لایه های نارسانا و نیم رسانا در نزدیکی بسامد گذار نیم رسانا است. در این ناحیه از طیف، پاسخ نوری نیم رسانا به علت تشکیل زوج مقید الکترون- حفره (اکسایتون) غیر موضعی است که عرصه ی قابل توجهی در نورشناخت جامدات می باشد[8]. پاسخ نوری غیرموضعی عامل پاشندگی فضایی برانگیختگی های نیم رسانا است و از این جهت مدهای اکسایتون- پلاریتون (سطحی و حج...

هدف از پژوهش حاضر، بررسی اثر کرنش در رسانندگی اسپین وبار در ساختارgmr پایه گرافینی است.این ابزار، از سه لایه ساخته می شود، به این صورت که یک لایه گرافین کرنش درمیان دولایه ی گرافین مغناطیسی قرارداده می شود .ساختارهای موازی وپادموازی دو لایه ی فرومغناطیس موردتوجه قرارگرفته ورسانندگی بارواسپین دراین ساختار مورد مطالعه قرار گرفته است. یافته های این پژوهش نشان می دهد که برای تبادل انرژیهای معین با ...