مشاهده شده است که ناپیوستگی نواری در اتصال نیمه هادیها به صورت بحرانی به عوامل متعددی وابسته است. با استفاده از روش شبه پتانسیل ابتدا به ساکن در موارد ابرشبکه کرنش یافته inga as / ga as توانستیم وابستگی ناپیوستگیهای نواری (ظرفیت و رسانش) را بر حسب کرنش و ترکیب in در این سیستم تعیین نماییم. علاوه بر این, نشان داده ایم که ناپیوستگی نواری را می توان با معرفی یک لایه ge در ناحیه فصل مشترک کنترل نمود.

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

در سال های اخیر مواد مغناطیسی نرم به خصوص آلیاژ های نانو ساختار به طور گسترده ای در صنایع مختلف مورد استفاده قرار گرفته است. این مواد به عنوان جذب کننده ی نویزهای الکترومغناطیسی برای جلوگیری از خراب شدن مدارهای الکترونیکی، در وسایلی که با فرکانس-های بالا کار می کنند، به عنوان هسته در القاگرها و در سنسورهای مغناطیسی بکار می روند. یکی از این مواد، آلیاژی از نیکل و آهن یا پرمالوی (80% نیکل و 20% آ...

هدف اصلی در این پایان نامه، تحلیل پاسخ نوری ابرشبکه ی متشکل از لایه های نارسانا و نیم رسانا در نزدیکی بسامد گذار نیم رسانا است. در این ناحیه از طیف، پاسخ نوری نیم رسانا به علت تشکیل زوج مقید الکترون- حفره (اکسایتون) غیر موضعی است که عرصه ی قابل توجهی در نورشناخت جامدات می باشد[8]. پاسخ نوری غیرموضعی عامل پاشندگی فضایی برانگیختگی های نیم رسانا است و از این جهت مدهای اکسایتون- پلاریتون (سطحی و حج...

هدف از پژوهش حاضر، بررسی اثر کرنش در رسانندگی اسپین وبار در ساختارgmr پایه گرافینی است.این ابزار، از سه لایه ساخته می شود، به این صورت که یک لایه گرافین کرنش درمیان دولایه ی گرافین مغناطیسی قرارداده می شود .ساختارهای موازی وپادموازی دو لایه ی فرومغناطیس موردتوجه قرارگرفته ورسانندگی بارواسپین دراین ساختار مورد مطالعه قرار گرفته است. یافته های این پژوهش نشان می دهد که برای تبادل انرژیهای معین با ...

در این پایان نامه، پس از توصیف نظری ترابرد الکترونی در نانونوارهای گرافینی، اثر کرنش و میدان مغناطیسی را بر ویژگی های ترابرد الکترونی نانونوارهای گرافینی ابرشبکه با لبه ی زیگزاگ و دسته صندلی، در مدل بستگی قوی و رهیافت تابع گرین بررسی خواهیم کرد. اثر کرنش تحت زوایای گوناگون و همچنین اثر میدان مغناطیسی یکنواخت عمود بر سامانه را بر رسانش الکتریکی و چگالی حالات الکترونی، به روش عددی مطالعه خواهیم ن...

مشاهده مغناطیس ناشی از اوربیتال p در برخی ترکیبات فاقد عناصر واسطه، حوزه ی جدیدی را در علوم مغناطیس گشوده است. از جمله این ترکیبات می توان به برخی آلیاژهای دوتایی یونی نظیر can اشاره کرد. همراه بودن رفتار مغناطیسی این ترکیب با ویژگی نیم فلزی در برخی ساختارهای شبه پایدار، می تواند برای صنعت اسپینترونیک نویدبخش باشد. پس از مرور مختصری بر ویژگی¬های ترکیبات دوتایی مبتنی بر مغناطش p و نظریه ی تابعی...

یکی از ویژگی های جالب نانولوله ها مشاهده ی ناحیه ی رسانندگی دیفرانسیلی منفی در آنها می باشد که به صورت عکس رابطه ی استاندارد جریان-ولتاژ تعریف می شود. رسانندگی دیفرانسیلی منفی، در مواد مختلفی مانند ابرشبکه های نیمرسانا مشاهده شده است. در نانولوله-های کربنی در دمای اتاق تحت شرایطی و در گستره ی معینی از شدت میدان الکتریکی پیش-بینی شده است. در این پژوهش، به منظور بررسی رسانندگی دیفرانسیلی منفی در ...

در این پایانامه با اعمال یک میدان مغناطیسی عمود بر سطح گرافین، سدهای پتانسیل در آن القا می کنیم و تونل زنی الکترون از ابرشبکه گرافین با سدهای مغناطیسی تابع دلتا مورد بررسی قرار گرفته است. بررسی احتمال عبور و رسانش با استفاده از روش ماتریس انتقال نشان می دهد که تغییر میدان اثری در احتمال عبور در زاویه های فرودی صفر ندارد ولی برای زوایای دگر اثر محسوس دارد. همچنین در میدان های مغناطیسی قوی تر رسا...

برای سیستم برهمکنشی از الکترونها و فونونها، هامیلتونی می تواند بصورت h = he + hph + he-ph توصیف شود. که he هامیلتونی برای الکترونهای در حال حرکت در حضور هسته های ثابت است، و hph هامیلتونی برای هسته های متحرک می باشد، که کوانتش توصیف کننده جابه جایی هسته ها«یونها» را فونون می نامند. قسمت he-ph جمله برهمکنشی بین الکترونها و فونونها را توصیف می کند. دیواره های کوانتومی نیمرسانا، ساختارهای جدیدی ...