نتایج جستجو برای: آرسنید گالیم نیم رسانا
تعداد نتایج: 7951 فیلتر نتایج به سال:
در این پژوهش ابتدا ضریب ژیرومغناطیسی نقطه ی کوانتومی استوانه ای گالیم آرسنید با پتانسیل سهموی، را در حضور میدان های خارجی و برهم کنش اسپین-مدار راشبا، بررسی کرده و در ادامه با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی، ضرایب جذب خطی و غیرخطی، مورد مطالعه قرار می گیرند. با در نظر گرفتن تقریب جرم موثر و با استفاده از نظریه ی اختلال، معادلهی شرودینگر را برای نقطه کوانتومی حل کرده و ویژهمقادیر انرژی و ویژه ...
در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله روی رفتار رسانندگی الکترونی بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی نانو لوله های نوعی مذکور نشان می دهد که نانو لوله با سا...
در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas وzno پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...
در این تحقیق آلیاژهای حافظه پذیر فرومغناطیسx= 0, 2 ,4) ni47mn40sn13-xgax) به روش آلیاژسازی مکانیکی ساخته شدند. عملیات آلیاژسازی مکانیکی به مدت 20 ساعت انجام گرفت و از نمونه ها الگوی پراش اشعه¬ی ایکس گرفته شد. الگوی پراش اشعه ایکس نشان داد که عملیات آلیاژسازی به مدت 20 ساعت کافی است ولی به منظورتک فاز شدن و نظم بلوری بهتر، نمونه¬ها در دمای 850 درجه سانتی گراد بازپخت شدند. به منظور جلوگیری از اکس...
به منظور به دست آوردن موادی با خاصیت ترموالکتریک بالاتر برای استفاده در ساخت وسایل خنک کننده و ترموکوپل، ضریب سیبک نمونه ها اندازه گیری شد که نتیجه به دست آمده نشان داد که نمونه با کمترین مقدار آنتیموان دارای بیشترین خاصیت ترموالکتریکی است
ویژگی ها نوری و الکتریکی و بسیاری از ویژگی ها دیگر نانوذرات نیم رسانا به طور شدید به اندازه آن ها وابسته است. در این میان کادمیم سلنید در ردیف مهمترین نانوبلور های نیم رسانا است که با ویژگی های جالبی همراه است. در این پژوهش روش جالب توجهی برای تهیه نقاط کوانتومی متشکل از CdSe با توزیع اندازه یکنواخت گزارش شده است. در روش های قدیمی تر از ترکیب تری اکتیل فسفین اکسید (TOPO) به عنوان پایدار کننده ا...
در این مقاله، طیف لومینسانس گسیلی از چینش هسته-چند پوسته در نانو سیمهای نیم رسانای غیر قطبشی با تقارن شعاعی بررسی شده است. حل خودسازگار معادلات شرودینگر و پواسون پایه اصلی محاسبات عددی برای به دست آوردن توابع موج، ترازهای انرژی، کج شدگیهای باند در اثر آلایش مناسب در سیستم و تاثیرات آن در طیف لومینسانس گسیلی از نانوسیم است. نتایج مقاله دارای کاربردهای فراوان در پیشبینی نتایج تجربی و عملکرد ...
ویژگی ها نوری و الکتریکی و بسیاری از ویژگی ها دیگر نانوذرات نیم رسانا به طور شدید به اندازه آن ها وابسته است. در این میان کادمیم سلنید در ردیف مهمترین نانوبلور های نیم رسانا است که با ویژگی های جالبی همراه است. در این پژوهش روش جالب توجهی برای تهیه نقاط کوانتومی متشکل از cdse با توزیع اندازه یکنواخت گزارش شده است. در روش های قدیمی تر از ترکیب تری اکتیل فسفین اکسید (topo) به عنوان پایدار کننده ا...
دراین پروژه معادلات سه گانه نیمه رسانا یعنی معادله پواسون، معادله پیوستگی جریان الکترونها و حفره ها) به صورت جفت شده با روش تفاوت متناهی و به کمک آمار فرمی دیراک با درنظرگرفتن تبهگنی حل شده است. این روش امکان حل معادلات را برای مقادیر بالای بایاس فراهم می سازد. از میان مدلهای مختلفی که برای پارامترهای فیزیکی ارائه شده ، مدلی که با تجربه توافق بیشتری دارد برای این شبیه سازی انتخاب شده است.این شب...
چکیده کاربرد نظریه k.p در بررسی حالات الکترونیکی نانو ساختارهای نیم¬رسانا اسماعیل مهدیزاده سروستانی بیشتر خواص اپتوالکترونیکی مواد نیم¬رسانا از قبیل جرم موثر الکترون و حفره، چگالی حالات نوار رسانش و ظرفیت و شکاف نواری در نظریه نواری جامدات نهفته شده است. بنابراین محاسبه ساختار نواری نیم¬رساناها در فیزیک حالت جامد از اهمیت زیادی برخوردار است و در نتیجه نقش اساسی در پیشرفت ساخت ادوات الکترونیک...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید