در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه ی نیم رسانای گالیوم آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از ma 5 تاma30 و لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف oc 25، oc77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه ها به کمک دستگاه های xrd و sem مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه های الکتروانباشت شده در جریان های مختلف انباشت و هم ...
