نتایج جستجو برای: گاف نوار فوتونی

تعداد نتایج: 4582  

ژورنال: :علوم 0
حسن ربانی hassan rabani assistant professor in shahrekord universityهیات علمی دانشگاه شهرکرد محمد مردانی mohammad mardaani staff memberهیات علمی حمیده وحید hamideh vahid msc studentدانشجوی کارشناسی ارشد

در این تحقیق با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به مطالعه‏ی ترابرد الکترونی یک سامانه ی چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل دو هادی فلزی پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که در گاف های این سامانه چگالی حالت های الکترونی مستقل از تعداد مولکول ها یا طول سامانه رفتار می‏کند. همچنین افزایش طول سامانه علاوه بر کاهش رسانش تونل زنی، باعث ظهور دره ها و قله هایی در گاف های طیف رسانش می شود و بست...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم 1393

در این پایان¬نامه، ساختار نواری بلورهای فونونی دو و سه بعدی، با استفاده از روش بسط موج تخت و تفاضل محدود در حوزه زمان، مورد محاسبه و مطالعه قرار می¬گیرد. به¬دلیل اهمیت عامل ساختار در روش بسط موج تخت، ابتدا رابطه تعمیم یافته آن را برای میله¬هایی با سطح مقطع چند ضلعی منظم محاسبه و سپس با استفاده از آن، ساختار نواری بلورهای فونونی دوبعدی با شبکه مربعی را برای میله¬های نیکل با سطح مقطع چند ضلعی منظ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور 1385

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

در این پایان نامه به بررسی، تحلیل و طراحی ساختار انتخابگر فرکانس به منظور بهبود عملکرد تششعی آنتن پچ میکرواستریپ می¬پردازیم. این عمل منجر به تولید آنتن فبری پروت می¬شود. آنتن¬های فبری پروت با فناوری¬های سطوح انتخاب گر فرکانس، سطوح باند ممنوعه الکترومغناطیسی و ساختار¬های فرا ماده ساخته می¬شوند. فرم آنتن های فبری پروت به این گونه است که المان تشعشعی بین دو صفحه بازتاب کننده شدید قرار می¬گیرد. قرا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :مرکز بین المللی علوم و تکنولوژی پیشرفته و علوم محیطی 1388

هدف ما در این پایان‎نامه تقویت پهنای باند مخابراتی است که با شبیه‎سازی ساختاری بنامcrow که به یون اربیوم آلائیده شده، انجام گرفته‎است. یون اربیوم به علت گسیل‎های اپتیکی که در پهنای باند مخابراتی قرار دارند در تقویت‎کننده‎های مخابراتی مورد استفاده قرار می‎گیرد. ولی همانطور که در فصل دوم بیان خواهد شد محدودیت‎هایی بر بهره ناشی از این یون حاکم است. برای شبیه‎سازی این ساختار ابتدا معادلات آهنگ مربو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان 1390

ترکیبات pbse و pbs نیمرساناهایی با گاف نواری باریک می باشند و به صورت تجاری مورد استفاده قرار می گیرند. نقاط کوانتومی نیمرسانای iv-vi مثل pbse به علت شعاع بوهر بزرگ شان، محبوس شدگی کوانتومی قوی و خواص نوری منحصربه فردی دارند. به همین دلیل، این ماده برای کاربرد در حوزه های مختلف نوری و الکتریکی، از جمله ساخت ادوات فوتونیکی مثل آشکارسازهای نوری، مناسب است. با توجه به اینکه خواص نوری این نانوبلوره...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید