نتایج جستجو برای: گاف نواری
تعداد نتایج: 2955 فیلتر نتایج به سال:
در این پایان نامه، تشدیدگر حلقوی جفت شده با یک موجبر منفرد و دو موجبر مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. تشدیدگر حلقوی جفت شده با دو موجبر که اصطلاحاً فیلتر تلفیق کننده/تفکیک کننده نام دارد، یکی از اجزاء مهم مالتی پلکس تفکیک طول موجی به شمار می رود و می تواند کانا ل های خاصی را از چندین کانال ورودی جدا نماید. موجبرهای عادی به طور موثر نمی تواند امواج الکترومغناطیسی را از گوشه های تیز عبور دهند....
اکسید روی نیمرسانایی با گاف نواری پهن است . با توجه به نداشتن هیچ گونه آلودگی زیست محیطی و سهولت سنتز این اکسید نیمرسانا در اندازه های گوناگون، ماده ای مناسب برای کاربرهای مختلف خواهد بود. نانوذرات اکسید روی آلاییده شده با ناخالصی مس با درصد های مولی (%0-3) از ناخالصی مس با استفاده از روش ساده رسوب دهی شیمیایی سنتز گردید. استات روی دوآبه، استات مس و پلی وینیل پیرولیدون به عنوان مواد اولیه مورد ...
کریستالهای فتونیکی یک بعدی رده جدیدی از مواد اپتیکی با مدولاسیون دوره ای در ثابت دی الکتریک می باشند. این مواد مصنوعی گستره ای از بسامدهای ممنوعه را بوجود می آورند که انتشار امواج الکترومغناطیسی در آن گستره کاملا ممنوع است که این گستره بسامد ممنوعه گاف نواری نامیده می شود. این ویژگی خاص از کریستالهای فتونیکی بطرز چشمگیری شارش نور را تغییر داده و با دستکاری فوتونها به کاربردهای بالقوه ای در زمین...
یک صفحه ی مجزای گرافیت(گرافین) یک نیمرسانای گاف صفر با چگالی حالت های صفر در انرژی فرمی می باشد. بر خلاف گرافین، بلور هم الکترون بورون نیتراید هگزاگونال، با پیوندهای صفحه ای قوی و به طور جزیی یونی میان اتم های بورون و نیتروژن، در نتیجه ی اختلاف الکترونگاتیویته میان اتم های آن-سایت دارای یک گاف عریض انرژی می باشد. به طور طبیعی مشابهت های ساختاری و ساختار نواری این دو ماده می تواند منجر به خواص ف...
هدف این پایان نامه، مطالعه ی ساختار الکترونی بلور هگزاگونال دوبعدی ژرمنن شامل چگالی حالت ها، ساختار نواری و خواص اپتیکی شامل طیف جذبی، ضریب شکست و رسانندگی آن است. این پژوهش برمبنای نظریه ی تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته انجام گرفته و برای انجام محاسبات از کد siesta استفاده شده است. ابتدا خواص الکترونی ژرمنن در غیاب میدان الکتریکی خارجی محاسبه و سپس تأثیر اعمال میدان بررسی ...
در این پایان نامه لایه های نازک اکسید قلع خالص و آلایش یافته با درصدهای مختلف کبالت و آهن بر روی زیرلایه های شیشه و سیلیکون به روش سل-ژل سنتز شدند و تاثیر آلایش آهن و کبالت، دمای بازپخت، ضخامت لایه و نوع زیرلایه روی خواص ساختاری، اپتیکی، مغناطیسی و الکتریکی نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. برای مشخصه یابی نمونه ها از اندازه گیری طیف پراش اشعه ایکس، طیف عبور در محدوده 300-1100 نانومتر و ثبت تصاویر...
چکیده ساختار کریستالی دو بعدی گرافین و خواص ترابردی شگفت انگیز آن همواره مورد توجه دانشمندان نظری و تجربی بوده است. در این ساختار دو بعدی، شبه ذرات همانند فرمیون های بدون جرم دیراک رفتار می کنند و این ویژگی خاص و متفاوت از گاز الکترونی دو بعدی متعارف منجر به بسیاری از ویژگی های مناسب الکتریکی می شود. تحرک پذیری الکترون ها در گرافین ده برابر تحرک پذیری الکترون ها در ویفرهای سیلیکونی امروزی است ...
چکیده ندارد.
امروزه مواد نیمرسانای مغناطیسی رقیق بعلت قابلیت کاربرد گسترده آنها در صنعت اسپینترونیک مورد توجه محققین قرار گرفته است و مطالعات تجربی و تئوری زیادی روی این مواد در حال انجام می باشد. در اسپینـترونیک علاوه بر خـواص بار الکـتریکی از خاصیـت اسپیـنی حاملها نیز استفاده می گردد. به دلیل توجه به این ویژگیها، آلایش گروهی از مواد نیمرساناها نظیر ترکیبات گروه iii-iv و ii-vi با اتمهای مغناطیسی مورد توجه ...
اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید